在双热舟化学气相沉积系统中通过掺In技术生长GaN纳米线和纳米锥

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	在双热舟化学气相沉积系统中通过掺In技术生长GaN纳米线和纳米锥
	刘仕锋 ; 秦国刚 ; 尤力平 ; 张纪才 ; 傅竹西 ; 戴伦
刊名	物理学报
	2005
卷号	54 期号:9 页码:4329-4333
中文摘要	在现有的一台蒸发镀膜机基础上，设计加工了一个双热舟化学气相沉积系统．该系统具有真空度高、升温速度快、源和衬底温度可分别控制等优点，有利于化合物半导体纳米材料的生长．利用该生长系统，通过在生长过程中掺入等电子杂质In作为表面活性剂，分别在野衬底和3C—SiC／Si衬底上生长出高质量的具有纤锌矿结构的单晶GaN纳米线和纳米尖三棱锥．所得产物通过场发射扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜、能量色散x射线谱仪、x射线衍射仪，和荧光谱仪进行表征．这里所用的生长方法新颖，生长出的GaN纳米尖三棱锥在场发射和激光方面有潜在的应用价值．
英文摘要	在现有的一台蒸发镀膜机基础上，设计加工了一个双热舟化学气相沉积系统．该系统具有真空度高、升温速度快、源和衬底温度可分别控制等优点，有利于化合物半导体纳米材料的生长．利用该生长系统，通过在生长过程中掺入等电子杂质In作为表面活性剂，分别在野衬底和3C—SiC／Si衬底上生长出高质量的具有纤锌矿结构的单晶GaN纳米线和纳米尖三棱锥．所得产物通过场发射扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜、能量色散x射线谱仪、x射线衍射仪，和荧光谱仪进行表征．这里所用的生长方法新颖，生长出的GaN纳米尖三棱锥在场发射和激光方面有潜在的应用价值．; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:03:54导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:03:54Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4391.pdf: 448078 bytes, checksum: 6cc81dada7f0f1ab2c24d8462a8f46cf (MD5) Previous issue date: 2005; 国家纳米科学中心资助的课题,国家自然科学基金,集成光电子国家重点实验室资助; 北京大学物理学院;中国科学院半导体研究所;中国科学技术大学物理系
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家纳米科学中心资助的课题,国家自然科学基金,集成光电子国家重点实验室资助
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16853]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	刘仕锋,秦国刚,尤力平,等. 在双热舟化学气相沉积系统中通过掺In技术生长GaN纳米线和纳米锥[J]. 物理学报,2005,54(9):4329-4333.
APA	刘仕锋,秦国刚,尤力平,张纪才,傅竹西,&戴伦.(2005).在双热舟化学气相沉积系统中通过掺In技术生长GaN纳米线和纳米锥.物理学报,54(9),4329-4333.
MLA	刘仕锋,et al."在双热舟化学气相沉积系统中通过掺In技术生长GaN纳米线和纳米锥".物理学报 54.9(2005):4329-4333.