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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：山东大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Reactive evaporation of SiOx films for passivation of GaN high-electron-mobility transistors 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS, 2019, 卷号: 129, 页码: 54-60 作者:  Zhu, Gengchang;  Liang, Guangda;  Zhou, Yang;  Chen, Xiufang;  Xu, Xiangang 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/12/11 Reactive evaporation  SiOx  Passivation  GaN  HEMTs   Reactive evaporation of SiOx films for passivation of GaN high-electron-mobility transistors 期刊论文 Journal of Physics and Chemistry of Solids, 2019, 卷号: 129, 页码: 54-60 作者:  Zhu, Gengchang;  Liang, Guangda;  Zhou, Yang;  Chen, Xiufang;  Xu, Xiangang 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/11 GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors using thermally evaporated SiO as the gate dielectric 期刊论文 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 卷号: 33, 期号: 9 作者:  Zhu, Gengchang;  Wang, Yiming;  Xin, Qian;  Xu, Mingsheng;  Chen, Xiufang 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/11 GaN  MOS-HEMTs  thermal evaporation  SiO   Performance enhancement of AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors by thermally evaporated SiO passivation 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 109, 期号: 11 作者:  Zhu, Gengchang;  Wang, Hanbin;  Wang, Yiming;  Feng, Xianjin;  Song, Aimin 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/16