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| 一种半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410710028.4, 申请日期: 2018-08-10, 公开日期: 2016-06-22
作者: 唐兆云 ; 徐烨锋; 唐波; 王红丽; 许静
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410339866.5, 申请日期: 2018-07-13, 公开日期: 2016-02-03
作者: 唐波; 许静; 闫江; 王红丽; 唐兆云
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410339800.6, 申请日期: 2018-06-01, 公开日期: 2016-02-03
作者: 李春龙; 许静; 闫江; 陈邦明; 王红丽
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| 半导体器件及其制造方法 专利
申请日期: 2014-08-15,
作者: 闫江; 陈邦明; 王红丽; 唐波; 唐兆云
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410340104.7, 申请日期: 2014-07-16,
作者: 许静; 闫江; 陈邦明; 王红丽; 唐波
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| 单片集成的环形振荡器与分频器电路及其处理方法 专利
专利号: CN200710177793.4, 申请日期: 2011-02-02, 公开日期: 2009-05-27
作者: 叶甜春; 徐静波; 张海英
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| 单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构 专利
专利号: CN200710178321.0, 申请日期: 2010-11-03, 公开日期: 2009-06-03
作者: 徐静波; 张海英; 叶甜春
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| 制作单片集成GaAs基MHEMT和PIN二极管的方法 专利
专利号: CN200710178320.6, 申请日期: 2010-09-29, 公开日期: 2009-06-03
作者: 张海英; 徐静波; 叶甜春
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| 制作单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管的方法 专利
专利号: CN200710178310.2, 申请日期: 2010-09-29, 公开日期: 2009-06-03
作者: 张海英; 徐静波; 叶甜春
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| 单片集成砷化镓基MHEMT和PIN二极管材料结构 专利
专利号: CN200710178311.7, 申请日期: 2010-02-17, 公开日期: 2009-06-03
作者: 徐静波; 张海英; 叶甜春
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