半导体器件及其制造方法

	半导体器件及其制造方法
	唐波; 许静; 闫江; 王红丽; 唐兆云; 徐烨锋; 李春龙; 陈邦明; 杨萌萌
	2018-07-13
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201410339866.5
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明提供了一种半导体器件，包括第一器件区域：衬底；第一有源区堆叠，包括衬底上的第一半导体区和其上的第二半导体区，以及空腔，空腔位于第一半导体区的端部、第二半导体区与衬底之间；第一器件，位于第二半导体区之上，且其源漏区位于空腔之上；第二器件区域：衬底；第二有源区堆叠，包括衬底上的第三半导体区和其上的第四半导体区，以及绝缘层，绝缘层位于第三半导体区的端部、第四半导体区与衬底之间；第二器件，位于第四半导体区之上，且其源漏区位于绝缘层之上。该半导体器件具有低成本、漏电小、功耗低、速度快、工艺较为简单且集成度高的特点。
公开日期	2016-02-03
申请日期	2014-07-16
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18808]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	唐波,许静,闫江,等. 半导体器件及其制造方法. CN201410339866.5. 2018-07-13.