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| 非挥发性阻变存储器件及其制备方法 专利
专利号: US10134983, 申请日期: 2018-11-20, 公开日期: 2016-08-11
作者: 刘琦 ; 刘明; 孙海涛; 张科科; 龙世兵
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| 一种制备高存储密度多值纳米晶存储器的方法 专利
专利号: CN201410222013.3, 申请日期: 2017-02-08, 公开日期: 2014-08-06
作者: 刘明; 孙海涛; 刘琦; 吕杭炳; 龙世兵
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| 一种三维高密度电阻转变存储器的制备方法 专利
专利号: CN201410557993.2, 申请日期: 2017-01-18, 公开日期: 2015-03-04
作者: 孙海涛; 刘琦; 吕杭炳; 龙世兵; 刘明
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| 一种小尺寸银纳米颗粒的制备方法 专利
专利号: CN201310454566.7, 申请日期: 2016-07-27, 公开日期: 2014
作者: 孙海涛; 杨洪璋; 路程
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| 一种制备表面等离子体激元纳米光子器件的方法 专利
专利号: CN201410221679.7, 申请日期: 2016-04-13, 公开日期: 2014-07-30
作者: 孙海涛; 刘琦; 吕杭炳; 龙世兵; 刘明
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| 基于钇铁石榴石的非挥发电阻转变型存储器及其制备方法 专利
专利号: CN201410102569.9, 申请日期: 2016-04-13, 公开日期: 2014-06-04
作者: 闫小兵; 刘明; 龙世兵; 刘琦; 吕杭炳
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| Understanding of the abnormal unipolar resistance switching behavior in CBRAM 会议论文
作者: Liu M(刘明); Sun HT(孙海涛); Liu Q(刘琦); Xu DL(许定林); Zhang KK(张科科)
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| Atomic view of filament growth in electrochemical memristive element 期刊论文
Scitentific report, 2015
作者: Liu M(刘明); Li L(李泠); Long SB(龙世兵); Sun HT(孙海涛); Liu Q(刘琦)
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| Atomic View of Filament Growth in Electrochemical Memristive Elements 期刊论文
Scientific Reports, 2015
作者: Luo Q(罗庆); Sun PX(孙鹏霄); Liu HT(刘红涛); Lv HB(吕杭炳); Li L(李泠)
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| 超低功耗阻变非挥发性存储器、其制作方法及操作方法 专利
专利号: CN201310378736.8, 申请日期: 2015-08-12, 公开日期: 2013-11-27
作者: 杨洪璋; 吕杭炳; 牛洁斌
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