QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Ⅲ族氮化物HEMT与GaN激光器的集成单片及其制作方法 专利 申请日期: 2018-11-09, 作者:  张志利,蔡勇,张宝顺,付凯,于国浩,孙世闯,宋亮 收藏  |  浏览/下载：119/0  |  提交时间：2019/04/01 Fabrication of normally-off AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors by photo-electrochemical gate recess etching in ionic liquid 期刊论文 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016, 卷号: 9, 期号: 8 作者:  Zhang, ZL(张志利);  Qin, SJ(秦双娇);  Fu, K(付凯);  Yu, GH(于国浩);  Li, WY 收藏  |  浏览/下载：75/0  |  提交时间：2017/03/11 Studies on High-Voltage GaN-on-Si MIS-HEMTs Using LPCVD Si3N4 as Gate Dielectric and Passivation Layer 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 卷号: 63, 期号: 2 作者:  Zhang, ZL(张志利);  Yu, GH(于国浩);  Zhang, XD(张晓东);  Deng, XG(邓旭光);  Li, SM(李水明) 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2017/03/11 热释电薄膜红外焦平面探测器芯片及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN103346250B, 申请日期: 2015-09-09, 作者:  朱煜;  褚君浩;  张耀辉;  宋贺伦;  王建禄 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2015/11/25 Normally Off AlGaN/GaN MIS-High-Electron Mobility Transistors Fabricated by Using Low Pressure Chemical Vapor Deposition Si3N4 Gate Dielectric and Standard Fluorine Ion Implantation 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015, 卷号: 36, 期号: 11, 页码: 4 作者:  Zhang, ZL(张志利);  Fu, K(付凯);  Deng, XG(邓旭光);  Zhang, XD(张晓东);  Fan, YM(范亚明) 收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2015/12/31 AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT)  standard fluorine ion implantation  normally off