Ⅲ族氮化物HEMT与GaN激光器的集成单片及其制作方法 | |
张志利,蔡勇,张宝顺,付凯,于国浩,孙世闯,宋亮 | |
2018-11-09 | |
国家 | 中国 |
其他题名 | Ⅲ族氮化物HEMT与GaN激光器的集成单片及其制作方法 |
申请日期 | 2015-04-10 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/6444] |
专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米加工公共平台 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张志利,蔡勇,张宝顺,付凯,于国浩,孙世闯,宋亮. Ⅲ族氮化物HEMT与GaN激光器的集成单片及其制作方法. 2018-11-09. |
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