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科研机构
兰州大学 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2005 [2]
2004 [1]
学科主题
701.1 Elec... [1]
712.1 Semi... [1]
thermodyna... [1]
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Homoepitaxial growth and properties of 4H-SiC by chemical vapor deposition
期刊论文
Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 卷号: 26, 期号: SUPPL., 页码: 70-73
作者:
Gao, Xin
;
Sun, Guosheng
;
Li, Jinmin
;
Zhao, Wanshun
;
Wang, Lei
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浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2016/10/21
Doping concentration
Epilayer
Hall measurement
Phonon peak
水平冷壁CVD生长4H-SiC同质外延膜
期刊论文
半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: 935-940
作者:
高欣
;
孙国胜
;
李晋闽
;
赵万顺
;
王雷
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2015/04/27
碳化硅
化学气相沉积
原子力显微镜
Raman
光致发光
Cold wall chemical vapor deposition
Epilayer
Homoepitaxial growth
Nomarski microscopy
3C-SiC_Si异质结二极管的高温特性(英文)
期刊论文
半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2004, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 1091-1096
作者:
张永兴
;
孙国胜
;
王雷
;
赵万顺
;
高欣
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  |  
浏览/下载:60/0
  |  
提交时间:2015/04/27
LPCVD
异质结二极管
高温特性
3C-SiC/Si heterojunction diodes
Capacitance-voltage characteristics
Current density-voltage characteristics
Heterojunction diodes
High temperature characteristics
Low pressure chemical vapor deposition (LPCVD)
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