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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：兰州大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Photo-sensitive characteristics of negative resistance turn-around occurring in SIPTH 期刊论文 半导体学报/Journal of Semiconductors, 2009, 卷号: 30, 期号: 4, 页码: 44-47 作者:  Ji T(季涛);  Yang LC(杨利成);  Li HR(李海蓉);  He SH(何山虎);  Li SY(李思渊) 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2016/10/21 static induction photosensitive thyristors  gate series resistance  double injection effect  potential barrier  light-generated carriers   一种抗辐射加固功率器件──VDMNOSFET（英文） 期刊论文 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2001, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 841-845 作者:  刘英坤;  梁春广;  王长河;  李思渊 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/04/27 抗辐射加固  双层栅介质  功率VDMNOSFET  Double layer gate dielectric  Radiation hardening  Semiconductor field effect transistors VDMNOSFET   SIT耐压容量的控制和工艺调节 期刊论文 半导体技术, 1998, 期号: 4, 页码: 4 作者:  刘瑞喜;  李思渊;  何山虎 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/04/27 SIT  耐压  控制   双极型D触发器成品率试验报告 期刊论文 半导体技术, 1978, 期号: 5, 页码: 20-30 作者:  李思渊;  何山虎;  陈次珀;  赵全喜;  强小凤 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/04/27 成品率:6186  管芯:3683  压焊:2870  D触发器:2692  钻蚀:2586  氧化层:2446  铝层:2263  双极型:2246  芯片:2233  结特性:2198   影响集成电路管芯成品率的诸工艺因素(二) 期刊论文 半导体技术, 1978, 期号: 1, 页码: 6-15 作者:  李思渊;  何山虎;  赵全喜;  赵丕鑫 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/04/27 成品率:5893  基区:4487  电路管:3299  结击穿:2830  结特性:2820  工艺因素:2219  管芯:2199  影响集:1859  引线孔:1841  工艺程序:1291   影响集成电路芯片成品率的诸工艺因素(一) 期刊论文 半导体技术, 1977, 期号: 5, 页码: 69-81 作者:  李思渊;  何山虎;  赵全喜;  赵丕鑫 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2015/04/27 针孔:5067  提高成品率:4927  氧化层:2848  胶膜:2835  结特性:2647  工艺因素:2524  引线孔:2419  基区:2341  扩硼:2251  影响集:2024