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浏览/检索结果: 共41条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：大连理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 氮化镓自支撑衬底大功率垂直结构场效应晶体管基础技术研究 项目 2019- 作者:  黄火林 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/02 氮化镓材料功率器件新结构与关键工艺技术研究 项目 2019- 作者:  黄火林 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/02 新型氮化镓功率器件技术与可靠性评价体系研究 项目 2019- 作者:  黄火林 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/02 Gallium Nitride Normally-Off Vertical Field-Effect Transistor Featuring an Additional Back Current Blocking Layer Structure 期刊论文 ELECTRONICS, 2019, 卷号: 8 作者:  Huang, Huolin;  Li, Feiyu;  Sun, Zhonghao;  Sun, Nan;  Zhang, Feng 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/12/02 vertical field-effect transistor (VFET)  back current blocking layer (BCBL)  gallium nitride (GaN)  normally off power devices   Analytical model for accurate extraction of metal-semiconductor ohmic contact parameters using a novel electrode-pair layout scheme 期刊论文 PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 2019, 卷号: 108, 页码: 197-201 作者:  Huang, Huolin;  Sun, Zhonghao;  Zhang, Feng;  Li, Feiyu;  Cao, Yaqing 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/02 Ohmic contacts  Modeling process  Semiconductor devices  Gallium nitride   基于宽禁带GaN基异质结结构的垂直型高温霍尔传感器 期刊论文 物理学报, 2019, 卷号: 68, 页码: 193-202 作者:  曹亚庆;  黄火林;  孙仲豪;  李飞雨;  白洪亮 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/02 磁场传感器  铝镓氮/氮化镓异质结  二维电子气  高温稳定性   二维电子气沟道半耗尽型霍尔传感器及其制作方法 专利 申请日期: 2018-01-01, 公开日期: 2018-10-12 作者:  黄火林;  曹亚庆;  李飞雨;  孙仲豪 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/02 Model Development for Threshold Voltage Stability Dependent on High Temperature Operations in Wide-Bandgap GaN-Based HEMT Power Devices 期刊论文 MICROMACHINES, 2018, 卷号: 9 作者:  Huang, Huolin;  Li, Feiyu;  Sun, Zhonghao;  Cao, Yaqing 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/02 threshold voltage (V-th) stability  gallium nitride (GaN)  high electron mobility transistors (HEMTs)  analytical model  high-temperature operation   具有二维电子气沟道势垒层局部凹槽结构的霍尔传感器及其制作方法 专利 申请日期: 2018-01-01, 公开日期: 2018-07-24 作者:  黄火林;  曹亚庆;  李飞雨;  孙仲豪 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/02 半纵向型欧姆接触电极及其制作方法 专利 申请日期: 2018-01-01, 公开日期: 2018-10-19 作者:  黄火林;  孙仲豪 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/02