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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：西安交通大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Analysis of transconductance characteristic of AlGaN/GaN HEMTs with graded AlGaN layer 期刊论文 EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 2014, 卷号: 66, 期号: [db:dc_citation_issue] 作者:  Qu, Shenqi;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Jiang, Lijuan 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/02 Analysis of GaN cap layer effecting on critical voltage for electrical degradation of AlGaN/GaN HEMT 期刊论文 EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 2014, 卷号: 68, 期号: [db:dc_citation_issue] 作者:  Qu, Shenqi;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Jiang, Lijuan 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/02 AlGaN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with GaN channel layer grown at high temperature 期刊论文 EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 2013, 卷号: 62, 期号: [db:dc_citation_issue] 作者:  Zhang, Lu;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Chen, Hong;  Feng, Chun 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/03 The growth and characterization of GaN films on cone-shaped patterned sapphire by MOCVD 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2013, 卷号: 34, 期号: [db:dc_citation_issue] 作者:  Liang, Jing;  Hongling, Xiao;  Xiaoliang, Wang;  Cuimei, Wang;  Qingwen, Deng 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/10 Dislocation densities  GaN  High resolution X ray diffraction  Metal-organic  Non-radiative recombinations  Patterned sapphire substrate  Sapphire substrates  Threading dislocation   Enhanced performance of InGaN/GaN multiple quantum well solar cells with patterned sapphire substrate 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2013, 卷号: 34, 期号: [db:dc_citation_issue] 作者:  Jing, Liang;  Xiao, Hongling;  Wang, Xiaoliang;  Wang, Cuimei;  Deng, Qingwen 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/10 Absorption layer  InGaN  InGaN/GaN  Patterned sapphire  Patterned sapphire substrate  Quantum well solar cells  Sapphire substrates  Textured surface   Theoretical simulations of InGaN/Si mechanically stacked two-junction solar cell 期刊论文 PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2013, 卷号: 414, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 110-114 作者:  Li, Zhidong;  Xiao, Hongling;  Wang, Xiaoliang;  Wang, Cuimei;  Deng, Qingwen 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/10 InGaN  Si  Tandem solar cell  Mechanically stacked   A 2 nm low temperature GaN spacer to improve the transport properties of two-dimensional electron gas in AlGaN/InAlN/AlN/GaN heterostructures 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 101, 期号: [db:dc_citation_issue] 作者:  Ding, Jieqin;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Chen, Hong 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/10 MOCVD生长GaN的数值模拟和喷淋式反应室结构优化 期刊论文 半导体技术, 2008, 期号: S1, 页码: 123-126 作者:  殷海波;  王晓亮;  冉军学;  胡国新;  肖红领 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/18 几何结构  沉积速率  GaN  MOCVD  流场  数值模拟   SiC衬底GaN基HEMT结构材料与器件 期刊论文 半导体技术, 2008, 期号: S1, 页码: 202-205 作者:  王晓亮;  陈堂胜;  唐健;  肖红领;  王翠梅 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/18 氮化镓  功率器件  高电子迁移率晶体管   过渡族和稀土族元素掺杂GaN基稀磁半导体性能比较 期刊论文 半导体技术, 2008, 期号: S1, 页码: 197-201 作者:  姜丽娟;  王晓亮;  王翠梅;  肖红领;  冉军学 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/18 稀磁半导体  快速退火  离子注入  稀土族元素  氮化镓