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	Performance Evaluation and Optimization of Single Layer MoS2 Double Gate Transistors with metallic contacts 其他 2016-01-01 Zeng, Lang; Gong, Fanghui; Nan, Jiang; Huang, Yangqi; Zhang, He; Liu, Xiaoyan; Zhang, Youguang; Zhao, Weisheng 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2017/12/03
	Investigation of Hole Mobility in Strained InSb Ultrathin Body pMOSFETs 期刊论文 ieee电子器件汇刊, 2015 Chang, Pengying; Liu, Xiaoyan; Zeng, Lang; Wei, Kangliang; Du, Gang 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2015/11/10 Hole mobility InSb modeling MOSFETs scattering self-consistent six-band k . p ultrathin body (UTB) V COMPOUND SEMICONDUCTORS INVERSION-LAYER MOBILITY DEFORMATION POTENTIALS SURFACE ORIENTATION QUANTUM-WELLS ON-INSULATOR BAND THICKNESS PHYSICS
	Hole mobility enhancements in strained InxGa1-xSb heterostructure p-channel MOSFETs 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015 Chang, Pengying; Liu, Xiaoyan; Zeng, Lang; Du, Gang 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2017/12/03 V COMPOUND SEMICONDUCTORS ON-INSULATOR SI PHYSICS ALLOYS GE
	Hole mobility in InSb-based devices: Dependence on surface orientation, body thickness, and strain 其他 2015-01-01 Chang, Pengying; Liu, Xiaoyan; Zeng, Lang; Du, Gang 收藏 \| 浏览/下载：4/0 \| 提交时间：2017/12/03 Surface orientation Strain Hole mobility InSb III-V semiconductor Modeling V COMPOUND SEMICONDUCTORS DEFORMATION POTENTIALS INVERSION-LAYERS
	Strain effects on monolayer MoS2 field effect transistors 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015 Zeng, Lang; Xin, Zheng; Chang, Pengying; Liu, Xiaoyan 收藏 \| 浏览/下载：2/0 \| 提交时间：2017/12/03 SCATTERING-THEORY NANOSCALE GRAPHENE MOSFET
	Accelerated 3D Full Band Self-consistent Ensemble Monte Carlo Device Simulation Utilizing Intel MIC co-processors on TianHe II 其他 2015-01-01 Yin, Longxiang; Fang, Minquan; Zeng, Lang; Zhang, LiLun; Dut, Gang; Liu, Xiaoyan 收藏 \| 浏览/下载：5/0 \| 提交时间：2017/12/03 MIC 3D Monte Carlo quantum correction FinFET
	Accelerated 3D full band self-consistent ensemble Monte Carlo device simulation utilizing intel MIC co-processors on tianhe II 其他 2015-01-01 Yin, Longxiang; Fang, Minquaan; Zeng, Lang; Zhang, Lilun; Du, Gang; Liu, Xxiaoyan 收藏 \| 浏览/下载：6/0 \| 提交时间：2017/12/03
	Hole mobility in InSb-based devices: Dependence on surface orientation, body thickness, and strain 期刊论文 44th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 2015 Chang, Pengying; Liu, Xiaoyan; Zeng, Lang; Du, Gang 收藏 \| 浏览/下载：5/0 \| 提交时间：2017/12/03 Surface orientation Strain Hole mobility InSb III-V semiconductor Modeling V COMPOUND SEMICONDUCTORS DEFORMATION POTENTIALS INVERSION-LAYERS
	Hole mobility enhancements in strained InxGa1-xSb heterostructure p-channel MOSFETs 其他 2015-01-01 Chang, Pengying; Liu, Xiaoyan; Zeng, Lang; Du, Gang 收藏 \| 浏览/下载：6/0 \| 提交时间：2017/12/04 V COMPOUND SEMICONDUCTORS ON-INSULATOR SI PHYSICS ALLOYS GE
	Strain effects on monolayer MoS2 field effect transistors 其他 2015-01-01 Zeng, Lang; Xin, Zheng; Chang, Pengying; Liu, Xiaoyan 收藏 \| 浏览/下载：4/0 \| 提交时间：2017/12/04 SCATTERING-THEORY NANOSCALE GRAPHENE MOSFET

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