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北京大学 [27]
内容类型
其他 [27]
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2005 [2]
2004 [8]
2003 [4]
2002 [1]
2001 [7]
1998 [4]
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Study on the impact of Ge-implantation on the work function of fully silicided NiSi gate as ultra-shallow junction formed by using germanium preamorphization
其他
2005-01-01
Cai, YM
;
Xu, C
;
Shan, XN
;
Huang, R
;
Wang, YY
收藏
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浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2015/11/13
POLY-SI
The role of surface annihilation in annealing investigated by atomic model simulation
其他
2005-01-01
Yu, M
;
Zhang, X
;
Huang, R
;
Zhang, X
;
Wang, YY
;
Zhang, JY
;
Oka, H
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2015/11/13
ION-IMPLANTATION
SILICON
DEFECTS
Field-effect transistors based on single-wall carbon nanotubes bundles
其他
2004-01-01
Wang, XF
;
Guo, A
;
Guan, LH
;
Shi, ZJ
;
Gu, ZN
;
Fu, YY
;
Zhang, X
;
Huang, R
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2015/11/16
carbon nanolubes bundle
field-effect transistors
ambipolar
hysteresis
CIRCUITS
ROPES
Abnormal off-state leakage current increasing with reduced silicon body thickness in nano-SOI devices
其他
2004-01-01
Wang, WP
;
Huang, R
;
Zhang, GY
;
Yang, SQ
;
Wang, YY
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2015/11/13
REACE: A new algorithm for low energy ion implantation simulation.
其他
2004-01-01
Shi, XK
;
Yu, M
;
Shi, H
;
Huang, R
;
Zhang, X
;
Wang, YY
;
Zhang, JY
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/13
MONTE-CARLO SIMULATION
STOPPING-POWER MODEL
MOLECULAR-DYNAMICS
SILICON
PROFILES
A novel technique of Silicon-on-Nothing MOSFETs fabrication by hydrogen and helium co-implantation
其他
2004-01-01
Bu, WH
;
Huang, R
;
Li, M
;
Tian, Y
;
Wang, YY
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2015/11/13
A novel asymmetric graded low doped drain (AGLDD) vertical channel nMOSFET with sidewall masked (SWAM) LOCOS isolation
其他
2004-01-01
Zhou, FL
;
Huang, R
;
Zhang, X
;
Wang, YY
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/13
vertical channel MOSFET
LDD
GLDD
AGLDD
LOCOS
SWAM
HOT-CARRIER RELIABILITY
TECHNOLOGY
DEVICES
Scaling capability of GOI and SOI devices
其他
2004-01-01
An, X
;
Wang, Y
;
Huang, R
;
Zhang, X
;
Wang, YY
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2015/11/13
germanium-on-insulator
silicon-on-insulator
scaling capability
low operating power
intrinsic delay
MOSFETS
Spacer design between source/drain and gate for high-performance FinFET devices
其他
2004-01-01
Chen, G
;
Huang, R
;
Zhang, X
;
Yang, L
;
Zhao, DY
;
Wang, YY
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/11/13
FinFET
spacer design
high performance
gate capacitance
Ion implantation into Si covered by HfO2 or SiO2 film
其他
2004-01-01
Shi, H
;
Yu, M
;
Huang, R
;
Zhang, X
;
Wang, YY
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/11/13
HfO2
ion implantation
molecular dynamics
Monte Carlo
range profiles
simulation
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