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内容类型
会议论文 [14]
发表日期
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内容类型:会议论文
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Utilizing Csiszar Divergences to Analyze Deployments of Binary Sensors with Modulators
会议论文
ELECTR NETWORK, June 28 -JuLy 2, 2021
作者:
Luo LX(罗龙祥)
;
Xiao Y(肖杨)
;
Liang W(梁炜)
;
Zheng M(郑萌)
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2021/11/08
Binary sensor deployment
modulators
sensor array
divergence
smoothing method
A Dynamic Model for Predicting Outcome in Patients with HBV Related Acute-On-Chronic Liver Failure
会议论文
Washington, DC, NOV 01-05, 2013
作者:
Lin, W
;
Jin, CG
;
Liu, XH
;
He, JQ
;
Li, M
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2017/01/17
Remobilisation experiment of sulphides from massive Sulphide ore at 350 degrees C and a differential stress without exotic fluid
会议论文
17th Annual V M Goldschmidt Conference, Cologne, GERMANY, 2007
Gu, LX
;
Zheng, YC
;
Tang, XQ
;
Wang, Z
;
Wu, CZ
;
Wu, XY
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2010/04/15
Growth and structural properties of GaN films on flat and vicinal SiC(0001) substrates
会议论文
international conference on material for advanced technologies, singapore, singapore, jul 01-06, 2001
Xie MH
;
Cheung SH
;
Zheng LX
;
Tong SY
;
Zhang BS
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/15
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Current-induced migration of surface adatoms during GaN growth by molecular beam epitaxy
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Zheng LX
;
Xie MH
;
Xu SJ
;
Cheung SH
;
Tong SY
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/15
surface processes
molecular beam epitaxy
nitrides
semiconducting gallium compounds
GAN(0001) SURFACES
RECONSTRUCTIONS
Defect states in cubic GaN epilayer grown on GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy
会议论文
4th international conference on nitride semiconductors (icns-4), denver, colorado, jul 16-20, 2001
Xu SJ
;
Or CT
;
Li Q
;
Zheng LX
;
Xie MH
;
Tong SY
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/15
OPTICAL-TRANSITIONS
PHOTOLUMINESCENCE
The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition
会议论文
1st asian conference on chemical vapour deposition, shanghai, peoples r china, may 10-13, 1999
Sun XL
;
Wang YY
;
Yang H
;
Li JB
;
Zheng LX
;
Xu DP
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/15
metalorganic chemical vapor deposition
cubic GaN
hexagonal phase content
4-circle X-ray double crystal diffraction
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GALLIUM NITRIDE
THIN-FILMS
SILICON
GAAS
MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices
会议论文
international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000
作者:
Zhao DG
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/10/29
MOCVD
GaN
InGaN
cubic
LED
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GALLIUM NITRIDE
PHASE EPITAXY
INGAN FILMS
ELECTROLUMINESCENCE
ZINCBLENDE
WURTZITE
MBE
The effect of low temperature GaAs nucleation on the growth of GaN on Silicon (001) during MOVPE process
会议论文
symposium on nitride semiconductors, at the 1997 mrs fall meeting, boston, ma, dec 01-05, 1997
Zheng LX
;
Liang JW
;
Yang H
;
Li JB
;
Wang YT
;
Xu DP
;
Li XF
;
Duan LH
;
Hu XW
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/10/29
Base on CIMS's enterprise distribution network design (CPCI-S收录)
会议论文
Proceedings of the World Engineers' Convention 2004, Vol A, Network Engineering and Information Society
作者:
Tian, Q
;
Miao, LX
;
Zheng, L
;
Xu, QQ
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/04/18
distribution networks
logistics expenses
location-allocation problems
genetic algorithms
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