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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 限定条件 内容类型：会议论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 8-layers 3D Vertical RRAM with Excellent Scalability towards Storage Class Memory Applications 会议论文 作者:  Luo Q(罗庆);  Xu XX(许晓欣);  Gong TC(龚天成);  Lv HB(吕杭炳);  Dong DN(董大年) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2018/07/26 BEOL Based RRAM with One Extra-mask for Low Cost, Highly Reliable Embedded Application in 28 nm Node and Beyond 会议论文 作者:  Lv HB(吕杭炳);  Xu XX(许晓欣);  Yuan P(袁鹏);  Dong DN(董大年);  Gong TC(龚天成) 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2018/07/26 Endurance characterization of the Cu-dope HfO2 based selection device with One Transistor-One Selector structure 会议论文 作者:  Luo Q(罗庆);  Xu XX(许晓欣);  Lv HB(吕杭炳);  Gong TC(龚天成);  Long SB(龙世兵) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2018/07/26 Fully CMOS Compatible 3D Vertical RRAM with Self-aligned Self-selective Cell enabling sub-5nm scaling 会议论文 作者:  Xu XX(许晓欣);  Luo Q(罗庆);  Gong TC(龚天成);  Lv HB(吕杭炳);  Long SB(龙世兵) 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2017/05/19 INVESTIGATION OF THE FORMING PROGRAM FAILTURE IN ITIR STRUCTURE 会议论文 作者:  Liu M(刘明);  Long SB(龙世兵);  Wang GM(王国明);  Zhang MY(张美芸);  Liu HT(刘红涛) 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2016/06/14 Understanding of the abnormal unipolar resistance switching behavior in CBRAM 会议论文 作者:  Liu M(刘明);  Sun HT(孙海涛);  Liu Q(刘琦);  Xu DL(许定林);  Zhang KK(张科科) 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2016/06/14 The TID effects of RRAM based oxide material 会议论文 作者:  Wang Y(王艳);  Liu M(刘明);  Long SB(龙世兵);  Lv HB(吕杭炳);  Liu Q(刘琦) 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2016/06/14 Justification and Monte Carlo simulation of microstructure evolution process of conductive filament in reset transition in Cu/HfO2/Pt RRAM 会议论文 作者:  Liu Q(刘琦);  Xu XX(许晓欣);  Zhang MY(张美芸);  Wang GM(王国明);  Liu M(刘明) 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2016/06/14 Improving the Resistive Switching Reliability via controlling the resistance states of RRAM 会议论文 作者:  Liu M(刘明);  Liu Q(刘琦);  Lv HB(吕杭炳);  Xu DL(许定林);  Xu XX(许晓欣) 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2016/06/14 Methodology for stability evaluation on the multi-level storages of oxide-based conductive bridge RAM (CBRAM) 会议论文 作者:  Zhang MY(张美芸);  Lv HB(吕杭炳);  Liu M(刘明);  Liu HT(刘红涛);  Xu XX(许晓欣) 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2016/06/14