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科研机构
西安光学精密机械研究... [7]
吉林大学白求恩第一医... [3]
内容类型
专利 [10]
发表日期
2005 [3]
2004 [3]
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Package structure with a retarding structure and method of making same
专利
专利号: US20050093178A1, 申请日期: 2005-05-05, 公开日期: 2005-05-05
作者:
HUANG, CHEN-TUNG
;
TU, JIM-TREN
;
YOU, HSANG-HSING
;
LU, HUANG-AN
;
CHANG, MING-LAN
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/30
Package structure with a retarding structure and method of making same
专利
专利号: US20050093178A1, 申请日期: 2005-05-05, 公开日期: 2005-05-05
作者:
HUANG, CHEN-TUNG
;
TU, JIM-TREN
;
YOU, HSANG-HSING
;
LU, HUANG-AN
;
CHANG, MING-LAN
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/12/30
Method of fabricating active layers in a laser utilizing InP-based active regions
专利
专利号: US6876686, 申请日期: 2005-04-05, 公开日期: 2005-04-05
作者:
TANDON, ASHISH
;
CHANG, YING-LAN
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/24
Method and apparatus for improving temperature performance for GaAsSb/GaAs devices
专利
专利号: US20040161005A1, 申请日期: 2004-08-19, 公开日期: 2004-08-19
作者:
BOUR, DAVID P.
;
TAN, MICHAEL R.T.
;
CHANG, YING-LAN
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/12/31
Long-wavelength photonic device with GaAsSb quantum-well layer
专利
专利号: US6711195, 申请日期: 2004-03-23, 公开日期: 2004-03-23
作者:
CHANG, YING-LAN
;
CORZINE, SCOTT W.
;
DUPUIS, RUSSELL D.
;
NOH, MIN SOO
;
RYOU, JAE HYUN
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/12/26
Laser having active region formed above substrate
专利
专利号: US20040001521A1, 申请日期: 2004-01-01, 公开日期: 2004
作者:
TANDON, ASHISH
;
CHANG, YING-LAN
;
BOUR, DAVID
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/31
SENSOR HAVING A THIN-FILM INHIBITION LAYER, NITRIC OXIDE CONVERTER AND MONITOR
专利
作者:
Craig Bryant
;
Ying Lan Chang
;
Jean Christophe P Gabriel
;
Bradley N Johnson
;
Oleksandr Kuzmych
收藏
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浏览/下载:0/0
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提交时间:2019/12/05
SENSOR HAVING A THIN-FILM INHIBITION LAYER
专利
作者:
Craig Bryant
;
Ying-Lan Chang
;
Jean-Christophe P. Gabriel
;
Bradley N. Johnson
;
Oleksandr Kuzmych
收藏
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浏览/下载:0/0
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提交时间:2019/12/05
Sensor having a thin-film inhibition layer
专利
作者:
Craig Bryant
;
Ying-Lan Chang
;
Jean-Christophe P. Gabriel
;
Bradley N. Johnson
;
Oleksandr Kuzmych
收藏
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浏览/下载:0/0
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提交时间:2019/12/05
Method for producing a long wavelength indium gallium arsenide nitride(InGaAsN) active region
专利
专利号: US20030211647A1, 公开日期: 2003-11-13
作者:
BOUR, DAVID P.
;
TAKEUCHI, TETSUYA
;
TANDON, ASHISH
;
CHANG, YING-LAN
;
TAN, MICHAEL R.T.
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/12/26
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