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一种栅介质/金属栅集成结构的制备方法 专利
专利号: CN101728257A, 申请日期: 2008-10-24, 公开日期: 2010-06-09, 2010-11-26
作者:  柴淑敏;  徐秋霞;  许高博
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一种制备高介电常数栅介质薄膜铪硅氧氮的方法 专利
专利号: CN101447420, 申请日期: 2007-11-28, 公开日期: 2009-06-03, 2010-11-26
作者:  柴淑敏;  许高博;  徐秋霞
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厚铝的高精度干法刻蚀方法 专利
专利号: CN1778993, 申请日期: 2004-11-19, 公开日期: 2006-05-31, 2010-11-26
作者:  杨荣;  李俊峰;  柴淑敏;  赵玉印;  蒋浩杰
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一种适用于纳米器件制造的硅化物工艺 专利
专利号: CN1754860, 申请日期: 2004-09-29, 公开日期: 2006-04-05, 2010-11-26
作者:  柴淑敏;  徐秋霞;  王大海
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采用锗或锑预无定形注入及清洗的钛硅化物方法 专利
专利号: CN1360341, 申请日期: 2000-12-19, 公开日期: 2002-07-24, 2010-11-26
作者:  钱鹤;  邢小平;  徐秋霞;  柴淑敏
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一种钴-自对准硅化物的方法 专利
专利号: CN1360340, 申请日期: 2000-12-19, 公开日期: 2002-07-24, 2010-11-26
作者:  钱鹤;  柴淑敏;  徐秋霞;  季红浩
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用于射频横向扩散场效应晶体管的自对准硅化物方法 专利
专利号: CN200410035088.7, 公开日期: 2005-11-02
作者:  韩郑生;  杨荣;  李俊峰;  海潮和;  徐秋霞
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