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科研机构
微电子研究所 [7]
内容类型
专利 [7]
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2008 [1]
2007 [1]
2004 [2]
2000 [2]
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一种栅介质/金属栅集成结构的制备方法
专利
专利号: CN101728257A, 申请日期: 2008-10-24, 公开日期: 2010-06-09, 2010-11-26
作者:
柴淑敏
;
徐秋霞
;
许高博
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2010/11/26
一种制备高介电常数栅介质薄膜铪硅氧氮的方法
专利
专利号: CN101447420, 申请日期: 2007-11-28, 公开日期: 2009-06-03, 2010-11-26
作者:
柴淑敏
;
许高博
;
徐秋霞
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/26
厚铝的高精度干法刻蚀方法
专利
专利号: CN1778993, 申请日期: 2004-11-19, 公开日期: 2006-05-31, 2010-11-26
作者:
杨荣
;
李俊峰
;
柴淑敏
;
赵玉印
;
蒋浩杰
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2010/11/26
一种适用于纳米器件制造的硅化物工艺
专利
专利号: CN1754860, 申请日期: 2004-09-29, 公开日期: 2006-04-05, 2010-11-26
作者:
柴淑敏
;
徐秋霞
;
王大海
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/26
采用锗或锑预无定形注入及清洗的钛硅化物方法
专利
专利号: CN1360341, 申请日期: 2000-12-19, 公开日期: 2002-07-24, 2010-11-26
作者:
钱鹤
;
邢小平
;
徐秋霞
;
柴淑敏
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2010/11/26
一种钴-自对准硅化物的方法
专利
专利号: CN1360340, 申请日期: 2000-12-19, 公开日期: 2002-07-24, 2010-11-26
作者:
钱鹤
;
柴淑敏
;
徐秋霞
;
季红浩
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2010/11/26
用于射频横向扩散场效应晶体管的自对准硅化物方法
专利
专利号: CN200410035088.7, 公开日期: 2005-11-02
作者:
韩郑生
;
杨荣
;
李俊峰
;
海潮和
;
徐秋霞
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/26
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