| 一种适用于纳米器件制造的硅化物工艺 | |
| 柴淑敏; 徐秋霞; 王大海 | |
| 2004-09-29 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 专利号 | CN1754860 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 一种适用于纳米器件制造的硅化物工艺，其主要步骤是清洗、真空退 火处理、溅射Ni薄膜、溅射TiN薄膜、快速热退火、选择腐蚀、玻璃淀 积、接触孔形成和金属化。本发明在Ni膜上加一盖帽层氮化钛，形成 TiN/Ni/Si结构，同时改进清洗方法，优化薄膜厚度和硅化反应的条件， 获得了很好的结果。不但薄膜的薄层电阻明显减小，而且热稳定性有了 明显的提高，即由低阻NiSi相向高阻NiSi2相转变的温度提高了，浅结 漏电流得到改善。与常规Ti和Co硅化物工艺比较，该方法工艺步骤少， 成本低，器件性能改善显着，因而极具吸引力。特别在亚50纳米技术中 是常规Ti和Co硅化物工艺所不可替代的工艺。 |
| 公开日期 | 2006-04-05 ; 2010-11-26 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 公开 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/7364]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柴淑敏,徐秋霞,王大海. 一种适用于纳米器件制造的硅化物工艺. CN1754860. 2004-09-29. |
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