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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：physics     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Measurement of Singly Cabibbo Suppressed Decays Lambda(+)(c) -> p pi(+)pi(-) and Lambda(+)(c) -> pK(+)K(-) 期刊论文 PHYSICAL REVIEW LETTERS, 2016, 卷号: 117, 期号: 1-23 作者:  Ablikim, M;  Achasov, MN;  Ahmed, S;  Ai, XC;  Albayrak, O 收藏  |  浏览/下载：82/0  |  提交时间：2017/05/09 CMOS Compatible Nonvolatile Memory Devices Based on SiO2/Cu/SiO2 Multilayer Films 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 28, 期号: 7, 页码: 077201- 作者:  Wang, Y;  Liu, Q;  Lv, HB;  Long, SB;  Zhang, S 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/05/25 Improvement of Resistive Switching Uniformity in TiOx Films by Nitrogen Annealing 期刊论文 JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 2011, 卷号: 58, 期号: 3, 页码: L407-L410 作者:  Li, YT;  Wang, Y;  Liu, S;  Long, SB;  Lv, HB 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/05/25 Resistive switching  Uniformity  Titanium oxide  Annealing   Investigation of resistive switching behaviours in WO3-based RRAM devices 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: - 作者:  Li, YT;  Long, SB;  Lu, HB;  Liu, Q;  Wang, Q 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/05/25 resistive random access memory  resistive switching  nonvolatile  WO3