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半导体研究所 [12]
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期刊论文 [12]
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2014 [3]
2012 [1]
2010 [1]
2009 [2]
2008 [1]
2007 [2]
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学科主题
半导体物理 [12]
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学科主题:半导体物理
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Room-Temperature Operation of 2.4 mu m InGaAsSb/AlGaAsSb Quantum-Well Laser Diodes with Low-Threshold Current Density
期刊论文
chinese physics letters, 2014, 卷号: 31, 期号: 5, 页码: 054204
Xing, JL
;
Zhang, Y
;
Liao, YP
;
Wang, J
;
Xiang, W
;
Xu, YQ
;
Wang, GW
;
Ren, ZW
;
Niu, ZC
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2015/04/02
High quality above 3-mu m mid-infrared InGaAsSb/AlGaInAsSb multiple-quantum well grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
chinese physics b, 2014, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 017805
Xing, JL
;
Zhang, Y
;
Xu, YQ
;
Wang, GW
;
Wang, J
;
Xiang, W
;
Ni, HQ
;
Ren, ZW
;
He, ZH
;
Niu, ZC
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2015/05/11
Investigation of high hole mobility In0.41Ga0.59Sb/Al0.91Ga0.09Sb quantum well structures grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
applied physics letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 5, 页码: 052111
Wang, J
;
Xing, JL
;
Xiang, W
;
Wang, GW
;
Xu, YQ
;
Ren, ZW
;
Niu, ZC
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2015/03/19
Complete fabrication study of InAs/GaSb superlattices for long-wavelength infrared detection
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2012, 卷号: 45, 期号: 26, 页码: 265103
Wang, GW
;
Xu, YQ
;
Wang, LJ
;
Ren, ZW
;
He, ZH
;
Xing, JL
;
Niu, ZC
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2013/02/07
Growth and Characterization of GaSb-Based Type-II InAs/GaSb Superlattice Photodiodes for Mid-Infrared Detection
期刊论文
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 7, 页码: art. no. 077305
Wang GW (Wang Guo-Wei)
;
Xu YQ (Xu Ying-Qiang)
;
Guo J (Guo Jie)
;
Tang B (Tang Bao)
;
Ren ZW (Ren Zheng-Wei)
;
He ZH (He Zhen-Hong)
;
Niu ZC (Niu Zhi-Chuan)
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2010/08/17
IR DETECTION MODULES
INAS
GaAs Based InAs/GaSb Superlattice Short Wavelength Infrared Detectors Grown by Molecular Beam Epitaxy
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 2, 页码: art. no. 028102
作者:
Tang B
;
Wang GW
;
Xu YQ
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浏览/下载:159/45
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提交时间:2010/03/08
INAS/GA1-XINXSB SUPERLATTICE
GASB
HETEROJUNCTIONS
PHOTODIODES
SEGREGATION
LAYERS
INAS
ALSB
Molecular Beam Epitaxy of GaSb on GaAs Substrates with AlSb Buffer Layers
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 018101
作者:
Xu YQ
;
Tang B
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浏览/下载:221/40
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提交时间:2010/03/08
SURFACE-MORPHOLOGY
GROWTH
SUPERLATTICES
HETEROSTRUCTURES
TEMPERATURE
DETECTORS
GAAS(100)
FILMS
INAS
INSB
Long-wavelength light emission from self-assembled heterojunction quantum dots
期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 9, 页码: art. no. 094315
Zhou, ZQ
;
Xu, YQ
;
Hao, RT
;
Tang, B
;
Ren, ZW
;
Niu, ZC
收藏
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浏览/下载:43/4
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提交时间:2010/03/08
MU-M
GAAS
GROWTH
EPITAXY
Growth of GaSb layers on GaAs (001) substrate by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 4, 页码: 1080-1084
Hao RT (Hao Ruiting)
;
Xu YQ (Xu Yingqiang)
;
Zhou ZQ (Zhou Zhiqiang)
;
Ren ZW (Ren Zhengwei)
;
Ni HQ (Ni Haiqiao)
;
He ZH (He Zhenhong)
;
Niu ZC (Niu, Zhichuan)
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浏览/下载:92/0
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提交时间:2010/03/29
INFRARED PHOTODIODES
MBE growth of very short period InAs/GaSb type-II superlattices on (001) GaAs substrates
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 21, 页码: 6690-6693
Hao RT (Hao Ruiting)
;
Xu YQ (Xu Yingqiang)
;
Zhou ZQ (Zhou Zhiqiang)
;
Ren ZW (Ren Zhengwei)
;
Ni HQ (Ni Haiqiao)
;
He ZH (He Zhenhong)
;
Niu ZC (Niu Zhichuan)
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2010/03/29
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
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