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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Luminescence emission originating from nitrogen doping of beta-Ga2O3 nanowires 期刊论文 physical review b, 2004, 卷号: 69, 期号: 7, 页码: art.no.075304 Song, YP; Zhang, HZ; Lin, C; Zhu, YW; Li, GH; Yang, FH; Yu, DP 收藏  |  浏览/下载：85/25  |  提交时间：2010/03/09 SINGLE-CRYSTALS   Gallium vacancy and the residual acceptor in undoped GaSb studied by positron lifetime spectroscopy and photoluminescence 期刊论文 applied physics letters, 2002, 卷号: 80, 期号: 21, 页码: 3934-3936 Ling CC; Mui WK; Lam CH; Beling CD; Fung S; Lui MK; Cheah KW; Li KF; Zhao YW; Gong M 收藏  |  浏览/下载：88/9  |  提交时间：2010/08/12 ANTIMONIDE   Conduction band offset and electron effective mass in GaInNAs/GaAs quantum-well structures with low nitrogen concentration 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 15, 页码: 2217-2219 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：104/6  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  INGAASN  LASER  OPERATION  ALLOYS  GROWTH  GAAS   GaInNAs/GaAs multiple-quantum well resonant-cavity-enhanced photodetectors at 1.3 mu m 期刊论文 chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 9, 页码: 1249-1251 作者:  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：104/13  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GROWTH  WAVELENGTH  GAAS   Effects of rapid thermal annealing and SiO2 encapsulation on GaNAs/GaAs single quantum wells grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 17, 页码: 2488-2490 作者:  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：68/3  |  提交时间：2010/08/12 1.3 MU-M  OPTICAL-PROPERTIES  BAND-GAP  SUPERLATTICES  LASERS  GAAS   High-temperature characteristics of GaInNAs/GaAs single-quantum-well lasers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文 chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 5, 页码: 659-661 Pan Z; Li LH; Du Y; Lin YW; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：69/4  |  提交时间：2010/08/12 SURFACE-EMITTING LASER  OPERATION  RANGE   Photoluminescence properties of a GaN0.015As0.985/GaAs single quantum well under short pulse excitation 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 79, 期号: 7, 页码: 958-960 Luo XD; Xu ZY; Ge WK; Pan Z; Li LH; Lin YW 收藏  |  浏览/下载：125/4  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  BAND-GAP ENERGY  TEMPERATURE PHOTOLUMINESCENCE  MECHANISM  GANXAS1-X  EMISSION  NITROGEN  ALLOYS  SHIFT  GANAS   Effect of rapid thermal annealing on GaInNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy 期刊论文 applied physics letters, 2000, 卷号: 77, 期号: 9, 页码: 1280-1282 Pan Z; Li LH; Zhang W; Lin YW; Wu RH; Ge W 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  LASER  OPERATION  GAAS   Optical transitions in GaNAs/GaAs single quantum well 会议论文 international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000 Luo XD; Xu ZY; Sun BQ; Pan Z; Li LH; Lin YW; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/10/29 GaNAs  photoluminescence  band offset  band bowing coefficient  localized exciton  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ALLOYS  TEMPERATURE  GAASN   Effects of rapid thermal annealing on the optical properties of GaNxAs1-x/GaAs single quantum well structure grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of applied physics, 2000, 卷号: 87, 期号: 1, 页码: 245-248 Li LH; Pan Z; Zhang W; Lin YW; Zhou ZQ; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12 BAND-GAP ENERGY  SUPERLATTICES  DEPENDENCE  ALLOYS  GAASN