×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [12]
内容类型
期刊论文 [12]
发表日期
2014 [4]
2012 [2]
2011 [1]
2010 [1]
2009 [2]
2008 [2]
更多...
学科主题
半导体物理 [12]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共12条,第1-10条
帮助
限定条件
学科主题:半导体物理
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Insight into the photoelectron angular dependent energy distribution of negative-electron-affinity InP photocathodes
期刊论文
applied physics letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 2, 页码: 021120
Chen, ZH
;
Jiang, XW
;
Dong, S
;
Li, JB
;
Li, SS
;
Wang, LW
收藏
  |  
浏览/下载:37/0
  |  
提交时间:2015/03/25
An efficient atomistic quantum mechanical simulation on InAs band-to-band tunneling field-effect transistors
期刊论文
applied physics letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 12, 页码: 123504
Wang, Z
;
Jiang, XW
;
Li, SS
;
Wang, LW
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2015/04/02
Enhancement of band-to-band tunneling in mono-layer transition metal dichalcogenides two-dimensional materials by vacancy defects
期刊论文
applied physics letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 2, 页码: 023512
Jiang, XW
;
Gong, J
;
Xu, N
;
Li, SS
;
Zhang, JF
;
Hao, Y
;
Wang, LW
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2015/03/25
Performance limits of tunnel transistors based on mono-layer transition-metal dichalcogenides
期刊论文
applied physics letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 19, 页码: 193510
Jiang, XW
;
Li, SS
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2015/04/02
Quantum confinement effects and source-to-drain tunneling in ultra-scaled double-gate silicon n-MOSFETs
期刊论文
chinese physics b, 2012, 卷号: 21, 期号: 2, 页码: 27304
Jiang, XW
;
Li, SS
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2013/03/17
A comparative study for quantum transport calculations of nanosized field-effect transistors
期刊论文
solid-state electronics, 2012, 卷号: 68, 页码: 56-62
Jiang, XW
;
Li, SS
;
Wang, LW
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2013/03/17
Quantum mechanical simulation of electronic transport in nanostructured devices by efficient self-consistent pseudopotential calculation
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: article no.54503
作者:
收藏
  |  
浏览/下载:50/2
  |  
提交时间:2011/07/05
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
SEMICONDUCTOR-DEVICES
SILICON DEVICES
MONTE-CARLO
MOSFETS
NANOTRANSISTORS
APPROXIMATION
EQUATIONS
DESIGN
MODELS
Quantum Mechanical Study on Tunnelling and Ballistic Transport of Nanometer Si MOSFETs
期刊论文
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: art. no. 057101
Deng HX (Deng Hui-Xiong)
;
Jiang XW (Jiang Xiang-Wei)
;
Tang LM (Tang Li-Ming)
收藏
  |  
浏览/下载:101/3
  |  
提交时间:2010/05/24
SIMULATION
TRANSISTORS
LIMIT
NM
Ballistic electron transport in hybrid ferromagnet/two-dimensional electron gas sandwich nanostructure: Spin polarization and magnetoresistance effect
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 1, 页码: art. no. 013708
作者:
收藏
  |  
浏览/下载:380/132
  |  
提交时间:2010/03/08
BARRIER STRUCTURE
2DEG-FERROMAGNET STRUCTURE
GIANT MAGNETORESISTANCE
MAGNETIC BARRIERS
MAGNETOCONDUCTANCE
INJECTION
Quantum mechanical simulation of nanosized metal-oxide-semiconductor field-effect transistor using empirical pseudopotentials: A comparison for charge density occupation methods
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 8, 页码: art.no.084510
Jiang XW (Jiang Xiang-Wei)
;
Deng HX (Deng Hui-Xiong)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Luo JW (Luo Jun-Wei)
;
Wang LW (Wang Lin-Wang)
收藏
  |  
浏览/下载:159/62
  |  
提交时间:2010/03/08
ELECTRONIC-STRUCTURE
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace