×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [12]
内容类型
期刊论文 [12]
发表日期
2011 [1]
2006 [1]
2005 [4]
2004 [1]
2003 [1]
2001 [1]
更多...
学科主题
半导体物理 [12]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共12条,第1-10条
帮助
限定条件
学科主题:半导体物理
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Preparation and photoluminescence study of patterned substrate quantum wires
期刊论文
acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: article no.20703
作者:
Yang XH
;
He JF
收藏
  |  
浏览/下载:57/7
  |  
提交时间:2011/07/05
V-groove substrate
quantum wires
GaAs
EPITAXIAL-GROWTH
TRANSISTOR
Influence of growth parameters of frequency-radio plasma nitrogen source on extending emission wavelengths from 1.31 mu m to 1.55 mu m GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular-beam epitaxy
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 1005-1008
作者:
Yang XH
收藏
  |  
浏览/下载:29/0
  |  
提交时间:2010/04/11
LASERS
TEMPERATURE
PHOTOLUMINESCENCE
Room temperature 1.25 mu m emission from high indium content InxGa1-xAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 278, 期号: 1-4, 页码: 728-733
作者:
Xu YQ
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2010/03/17
strain
Photoluminescence study of (GaAs1-xSbx/InyGa1-yAs)/GaAs bilayer quantum well grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
acta physica sinica, 2005, 卷号: 54, 期号: 6, 页码: 2950-2954
作者:
Xu YQ
;
Niu ZC
;
Zhang W
;
Jiang DS
;
Han Q
收藏
  |  
浏览/下载:66/31
  |  
提交时间:2010/03/17
molecular beam epitaxy
GaAs-based room-temperature continuous-wave 1.59 mu m GaInNAsSb single-quantum-well laser diode grown by molecular-beam epitaxy
期刊论文
applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 23, 页码: art.no.231121
Niu, ZC
;
Zhang, SY
;
Ni, HQ
;
Wu, DH
;
Zhao, H
;
Peng, HL
;
Xu, YQ
;
Li, SY
;
He, ZH
;
Ren, ZW
;
Han, Q
;
Yang, XH
;
Du, Y
;
Wu, RH
收藏
  |  
浏览/下载:130/37
  |  
提交时间:2010/03/17
Molecular beam epitaxy growth and photoluminescence study of room temperature 1.31 mu m (InyGa1-yAs/GaAs1-x Sb-x)/ GaAs bilayer quantum wells
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 278, 期号: 1-4, 页码: 558-563
作者:
Xu YQ
收藏
  |  
浏览/下载:109/23
  |  
提交时间:2010/03/17
bilayer quantum well
Molecular beam epitaxy growth and photoluminescence of type-II (GaAs1-xSbx/InyGa1-yAs)/GaAs bilayer quantum well
期刊论文
chinese physics letters, 2004, 卷号: 21, 期号: 9, 页码: 1831-1834
Xu, XH
;
Niu, ZC
;
Ni, HQ
;
Xu, YQ
;
Zhang, W
;
He, ZH
;
Han, Q
;
Wu, RH
收藏
  |  
浏览/下载:210/60
  |  
提交时间:2010/03/09
LONG-WAVELENGTH LASERS
Nano-layer structure of silicon-on-insulator materials
期刊论文
journal of the korean physical society, 2003, 卷号: 42, 期号: 0, 页码: s713-s718
Wang X
;
Chen M
;
Chen J
;
Wang X
;
Dong YN
;
Liu XH
;
He P
;
Tian LL
;
Liu ZL
收藏
  |  
浏览/下载:26/0
  |  
提交时间:2010/08/12
SOI
nanostructure
microelectronic materials
Surface acoustic wave velocity and electromechanical coupling coefficient of GaN grown on (0001) sapphire by metal-organic vapour phase epitaxy
期刊论文
chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 10, 页码: 1418-1419
作者:
Han PD
收藏
  |  
浏览/下载:84/7
  |  
提交时间:2010/08/12
THIN-FILMS
DEPOSITION
DIODES
Infrared absorption efficiency in AlAs/AlxGa1-xAs type-II multiple-quantum-well structure grown on (211) GaAs substrate
期刊论文
physica status solidi b-basic research, 2000, 卷号: 217, 期号: 2, 页码: 833-840
Zhu QS
;
He YP
;
Zhong ZT
;
Sun XH
;
Hiramatsu K
收藏
  |  
浏览/下载:46/0
  |  
提交时间:2010/08/12
PHOTODETECTOR
ALAS
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace