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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Optimization of cubic GaN growth by metalorganic chemical vapor deposition based on residual strain relaxation 期刊论文 applied physics letters, 2003, 卷号: 82, 期号: 2, 页码: 206-208 Feng ZH; Yang H; Zheng XH; Fu Y; Sun YP; Shen XM; Wang YT 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/08/12 EPITAXIAL-GROWTH  FILMS  GAAS   Design of high brightness cubic-GaN LEDs grown on GaAs substrate 期刊论文 journal of the korean physical society, 2003, 卷号: 42, 期号: 0, 页码: s753-s756 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 wafer bunding  cubic GaN  LIGHT-EMITTING-DIODES  FIELD-EFFECT TRANSISTOR  SINGLE-CRYSTAL GAN  MICROWAVE PERFORMANCE  MIRROR  JUNCTION   Mechanisms of the sidewall facet evolution in lateral epitaxial overgrowth of GaN by MOCVD 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2002, 卷号: 35, 期号: 21, 页码: 2731-2734 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 VAPOR-PHASE EPITAXY  DEPOSITION  LAYERS  FILMS   Thermal annealing behaviour of Ni/Au on n-GaN Schottky contacts 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2002, 卷号: 35, 期号: 20, 页码: 2648-2651 作者:  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/08/12 RESISTANCE OHMIC CONTACTS  FIELD-EFFECT TRANSISTOR  SINGLE-CRYSTAL GAN  MICROWAVE PERFORMANCE  STABILITY  BARRIER  DIODES   Anomalous strains in the cubic-phase GaN films grown on GaAs (001) by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: 3762-3764 作者:  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  NITRIDE SEMICONDUCTORS  STRESS