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科研机构
半导体研究所 [18]
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期刊论文 [15]
会议论文 [3]
发表日期
2006 [2]
2004 [1]
2001 [1]
2000 [9]
1999 [4]
1992 [1]
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学科主题
半导体材料 [18]
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学科主题:半导体材料
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Comparison of valence band x-ray photoelectron spectrum between Al-N-codoped and N-doped ZnO films
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: art.no.602110
作者:
Han XX
;
Wei HY
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浏览/下载:710/6
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提交时间:2010/04/11
P-TYPE CONDUCTION
THIN-FILMS
OHMIC CONTACTS
Aluminium doping induced enhancement of p-d coupling in ZnO
期刊论文
journal of physics-condensed matter, 2006, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 3081-3087
作者:
Han XX
;
Wei HY
收藏
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/04/11
ELECTRONIC-STRUCTURE CALCULATIONS
II-VI SEMICONDUCTORS
THIN-FILMS
PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY
DOPED ZNO
1ST-PRINCIPLES
CONDUCTION
STATES
High-performance quantum-dot superluminescent diodes
期刊论文
ieee photonics technology letters, 2004, 卷号: 16, 期号: 1, 页码: 27-29
作者:
Xu B
;
Jin P
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浏览/下载:68/29
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提交时间:2010/03/09
crystal growth
Comprehensive analysis of microtwins in the 3C-SiC films on Si(001) substrates
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 1-2, 页码: 40-44
Zheng XH
;
Qu B
;
Wang YT
;
Dai ZZ
;
Han JY
;
Yang H
;
Liang JW
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浏览/下载:98/10
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提交时间:2010/08/12
X-ray diffraction
chemical vapor deposition processes
silicon carbide
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
GROWTH
GAN
SI
DEFECTS
EPITAXY
LAYERS
MBE
The structural and photoluminescence properties of self-organized quantum dots in InAs/In0.53Ga0.47As multilayer on InP substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 360-363
作者:
Ye XL
;
Xu B
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2010/08/12
self-organized quantum dots
InAs/In0.53Ga0.47As multilayer
InP substrate
MBE
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
INAS ISLANDS
GROWTH
MATRIX
GAAS
The effect of substrate orientation on the morphology of InAs nanostructures on (001) and (11n)A/B(n=1-5) InP substrates
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 203-208
作者:
Xu B
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2010/08/12
high-index InP substrate
In(Ca)As nanostructures
MBE
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
INGAAS QUANTUM DOTS
ORIENTED GAAS
OPTICAL CHARACTERIZATION
ISLANDS
Two-dimensional ordering of self-assembled InAs quantum dots grown on (311)B InP substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 219, 期号: 1-2, 页码: 17-21
作者:
Ye XL
;
Xu B
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/08/12
quantum dots
molecular beam epitaxy
high index
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
STRAINED ISLANDS
GAAS
ORGANIZATION
INP(001)
LASERS
INGAAS
LAYER
Self-assembled InAs quantum wires on InP(001)
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 219, 期号: 1-2, 页码: 180-183
作者:
Xu B
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2010/08/12
InAs quantum wires
InP(001)
SHORT-PERIOD SUPERLATTICES
GAAS
EPITAXY
ISLANDS
Self-assembled InAs quantum wires on InP (001) (vol 219, pg 180, 2000)
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 219, 期号: 4, 页码: 495-495
作者:
Xu B
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2010/08/12
Temperature and excitation power dependence of the optical properties of InAs self-assembled quantum dots grown between two Al0.5Ga0.5As confining layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 210, 期号: 4, 页码: 451-457
作者:
Ye XL
;
Xu B
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/08/12
InAs quantum dots
molecular beam epitaxy
photoluminescence
LINE-SHAPE
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