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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth and fabrication of AlGaN/GaN HEMT based on Si(111) substrates by MOCVD 期刊论文 microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 9, 页码: 1108-1111 Luo, WJ; Wang, XL; Xiao, HL; Wang, CM; Ran, JX; Guo, LC; Li, JP; Liu, HX; Chen, YL; Yang, FH; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/03/08 AlGaN/GaN  high electron mobility transistor (HEMT)  Si (111)   The influence of 1 nm AlN interlayer on properties of the Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN HEMT structure 期刊论文 microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 777-781 Guo, LC; Wang, XL; Wang, CM; Mao, HL; Ran, JX; Luo, WJ; Wang, XY; Wang, BZ; Fang, CB; Hu, GX 收藏  |  浏览/下载：94/1  |  提交时间：2010/03/08 GaN  HEMT  2DEG  mobility  polarization   Influence of AlN buffer layer thickness on the properties of GaN epilayer on Si(111) by MOCVD 期刊论文 microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1710-1713 Luo WJ; Wang XL; Guo LC; Mao HL; Wang CM; Ran JX; Li JP; Li JM 收藏  |  浏览/下载：191/53  |  提交时间：2010/03/08 GaN  Si(111)  Crack  AlN  MOCVD   Growth and characterization of AlGaN/AlN/GaN HEMT structures with a compositionally step-graded AlGaN barrier layer 期刊论文 chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 1705-1708 Ma ZY (Ma Zhi-Yong); Wang XL (Wang Xiao-Liang); Hu GX (Hu Guo-Xin); Ran JX (Ran Jun-Xue); Xiao HL (Xiao Hong-Ling); Luo WJ (Luo Wei-Jun); Tang J (Tang Jian); Li JP (Li Jian-Ping); Li JM (Li Jin-Min) 收藏  |  浏览/下载：70/0  |  提交时间：2010/03/29 ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS