×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [9]
内容类型
期刊论文 [7]
会议论文 [2]
发表日期
2006 [2]
2005 [4]
2004 [3]
学科主题
半导体材料 [9]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共9条,第1-9条
帮助
限定条件
学科主题:半导体材料
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Selective growth of InAs islands on patterned GaAs (100) substrate
期刊论文
superlattices and microstructures, 2006, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 446-453
作者:
Xu B
;
Jin P
收藏
  |  
浏览/下载:92/0
  |  
提交时间:2010/04/11
patterned substrate
molecular beam epitaxy
quantum dots
InAs
GaAs
InGaAs
ASSEMBLED QUANTUM DOTS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
FABRICATION
Study of nucleation positions of InAs islands on stripe-patterned GaAs(100) substrate
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 31, 期号: 1, 页码: 43-47
作者:
Jin P
;
Xu B
收藏
  |  
浏览/下载:80/0
  |  
提交时间:2010/04/11
patterned substrate
GaAs
molecular beam epitaxy
nucleation positions
ASSEMBLED QUANTUM DOTS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GE ISLANDS
GROWTH
SURFACE
ARRAYS
A novel method for positioning of InAs islands on GaAs(110)
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 537-544
作者:
Xu B
;
Jin P
收藏
  |  
浏览/下载:150/42
  |  
提交时间:2010/03/17
InAs island
The structural and photoluminescence character of InAs quantum dots grown on a combined InAlAs and GaAs strained buffer
期刊论文
pricm 5: the fifth pacific rim international conference on advanced materials and processing, 2005, 卷号: pts 1-5, 期号: 475-479, 页码: 1791-1794
Shi, GX
;
Xu, B
;
Jin, P
;
Ye, XL
;
Cui, CX
;
Zhang, CL
;
Wu, J
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2010/03/17
quantum dots
strain buffer layer
InAs
photoluminescence
WELL
LASER
LAYER
Cleaved-edge overgrowth of aligned InAs islands on GaAs(110)
期刊论文
nanotechnology, 2005, 卷号: 16, 期号: 11, 页码: 2661-2664
作者:
Jin P
;
Xu B
收藏
  |  
浏览/下载:131/28
  |  
提交时间:2010/03/17
QUANTUM DOTS
Site controlling of InAs quantum wires on cleaved edges of AlGaAs/GaAs superlattices
期刊论文
nanotechnology, 2005, 卷号: 16, 期号: 8, 页码: 1379-1382
作者:
Jin P
;
Xu B
收藏
  |  
浏览/下载:219/41
  |  
提交时间:2010/03/17
DIFFUSION LENGTH
Thermal annealing effect on InAs/InGaAs quantum dots grown by atomic layer molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 269, 期号: 2-4, 页码: 181-186
作者:
Ye XL
;
Jin P
;
Xu B
;
Li CM
收藏
  |  
浏览/下载:184/45
  |  
提交时间:2010/03/09
photoluminescence
Molecular-beam epitaxial growth of position controlled InAs islands on cleaved edge of InGaAs/GaAs superlattice
会议论文
13th international conference on semiconducting and insulating materials (simc xiii), beijing, peoples r china, sep 20-25, 2004
作者:
Jin P
;
Xu B
收藏
  |  
浏览/下载:127/16
  |  
提交时间:2010/03/29
QUANTUM DOTS
Effect of noncoherent islands on the optical properties of the 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dots during rapid thermal annealing
会议论文
13th international conference on semiconducting and insulating materials (simc xiii), beijing, peoples r china, sep 20-25, 2004
作者:
Xu B
;
Jin P
;
Ye XL
收藏
  |  
浏览/下载:82/12
  |  
提交时间:2010/03/29
1.3 MU-M
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace