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半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
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2014 [1]
2013 [1]
2011 [2]
2004 [1]
2002 [1]
学科主题
半导体材料 [6]
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学科主题:半导体材料
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Growth of High-Quality GaAs on Ge by Controlling the Thickness and Growth Temperature of Buffer Layer
期刊论文
chinese physics letters, 2014, 卷号: 31, 期号: 12, 页码: 128101
Zhou Xu-Liang
;
Pan Jiao-Qing
;
Yu Hong-Yan
;
Li Shi-Yan
;
Wang Bao-Jun
;
Bian Jing
;
Wang Wei
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2015/03/19
A 1.55-μm laser array monolithically integrated with an MMI combiner
期刊论文
Journal of Semiconductors, 2013, 卷号: 34, 期号: 4, 页码: 044007
Li, Ma
;
Hongliang, Zhu
;
Song, Liang
;
Baojun, Wang
;
Can, Zhang
;
Lingjuan, Zhao
;
Jing, Bian
;
Minghua, Chen
收藏
  |  
浏览/下载:22/0
  |  
提交时间:2014/05/08
Influence Factors of an All-Optical Recovered Clock from Two-Section DFB Lasers
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 9, 页码: 94209
Kong DH
;
Zhu HL
;
Liang S
;
Wang BJ
;
Bian J
;
Ma L
;
Yu WK
;
Lou CY
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/02/06
FEEDBACK LASER
Monolithically integrated and electro-absorption modulated DFB lasers
期刊论文
guangdianzi jiguang/journal of optoelectronics laser, 2011, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 13-15
Zhu, Hong-Liang
;
Liang, Song
;
Li, Bao-Xia
;
Zhao, Ling-Juan
;
Wang, Bao-Jun
;
Bian, Jing
;
Xu, Xiao-Dong
;
Zhu, Xiao-Ning
;
Wang, Wei
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/06/14
Distributed feedback lasers
Integrated optoelectronics
Monolithic integrated circuits
Temperature-induced switching-over of the luminescence transitions in GaInNAs/GaAs quantum wells
期刊论文
chinese physics letters, 2004, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 548-551
Bian LF
;
Jiang D
;
Liang XG
;
Lu SL
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浏览/下载:41/18
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提交时间:2010/03/09
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
The effects of concomitant In and N incorporation on the photoluminescence of GaInNAs
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 2, 页码: 261-266
作者:
Jiang DS
收藏
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/08/12
photoluminescence
molecular beam epitaxy
quantum wells
III-V semiconductors
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
SINGLE-QUANTUM-WELL
LUMINESCENCE
GAAS
LOCALIZATION
BEHAVIOR
LAYER
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