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科研机构
半导体研究所 [8]
内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
2011 [1]
2008 [1]
2007 [1]
2005 [2]
2003 [1]
1998 [2]
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学科主题
半导体材料 [8]
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学科主题:半导体材料
专题:半导体研究所
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Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO(2)(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: 245402
Fu D
;
Zhang R
;
Liu B
;
Xie ZL
;
Xiu XQ
;
Gu SL
;
Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
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提交时间:2012/02/06
FUNDAMENTAL-BAND GAP
INDIUM NITRIDE
BUFFER LAYER
DEPENDENCE
SAPPHIRE
MOCVD
The growth temperatures dependence of optical and electrical properties of InN films
期刊论文
science in china series g-physics mechanics & astronomy, 2008, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 237-242
Liu, B
;
Zhang, R
;
Xie, ZL
;
Xiu, XQ
;
Li, L
;
Kong, JY
;
Yu, HQ
;
Han, P
;
Gu, SL
;
Shi, Y
;
Zheng, YD
;
Tang, CG
;
Chen, YH
;
Wang, ZG
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提交时间:2010/03/08
metalorganic chemical vapor deposition
X-ray diffraction
photoluminescence
Weak anti-localization in InAlAs/InGaAs/InAlAs high mobility two-dimensional electron gas systems
期刊论文
acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 7, 页码: 4099-4104
Zhou WZ (Zhou Wen-Zheng)
;
Lin T (Lin Tie)
;
Shang LY (Shang Li-Yan)
;
Huang ZM (Huang Zhi-Ming)
;
Cui LJ (Cui Li-Jie)
;
Li DL (Li Dong-Lin)
;
Gao HL (Gao Hong-Ling)
;
Zeng YP (Zeng Yi-Pine)
;
Guo SL (Guo Shao-Ling)
;
Gui YS (Gui Yong-Sheng)
;
Chu JH (Chu Jun-Hao)
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提交时间:2010/03/29
In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As
Phase-separation suppression in GaN-rich side of GaNP alloys grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2005, 卷号: 80, 期号: 1, 页码: 141-144
Chen DJ
;
Shen B
;
Bi ZX
;
Zhang KX
;
Gu SL
;
Zhang R
;
Shi, Y
;
Zheng YD
;
Sun XH
;
Wan SK
;
Wang ZG
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提交时间:2010/03/09
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Comment on
期刊论文
applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 17, 页码: art.no.176101
Liu B
;
Zhang R
;
Xie ZL
;
Xiu XQ
;
Bi ZX
;
Gu SL
;
Shi Y
;
Zheng YD
;
Hu LJ
;
Chen YH
;
Wang ZG
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浏览/下载:124/32
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提交时间:2010/03/17
GaN1-xPx ternary alloys with high P composition grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 255, 期号: 1-2, 页码: 52-56
Chen DJ
;
Shen B
;
Bi ZX
;
Zhang KX
;
Gu SL
;
Zhang R
;
Shi Y
;
Zheng YD
;
Sun XH
;
Wan SK
;
Wang ZG
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浏览/下载:470/1
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提交时间:2010/08/12
metalorganic chemical vapor deposition
nitrides
semiconducting III-V materials
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAN-RICH SIDE
RADICAL CELL
III-V
Effects of growth interruption on self-assembled InAs/GaAs islands
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 192, 期号: 1-2, 页码: 97-101
作者:
Han PD
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/08/12
InAs/GaAs
islands
MBE
PL
growth interruption
ORGANIZATION
TRANSITION
GAAS
QUANTUM
Annealing behavior of InAs/GaAs quantum dot structures
期刊论文
journal of electronic materials, 1998, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: 59-61
Wang ZM
;
Feng SL
;
Lu ZD
;
Zhao Q
;
Yang XP
;
Chen ZG
;
Xu ZY
;
Zheng HZ
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提交时间:2010/08/12
annealing
InAs/GaAs
quantum dots
BOX ISLANDS
GAAS
INTERDIFFUSION
GAAS(100)
GROWTH
THRESHOLD
INGAAS
STRAIN
SCALE
OPTICAL-PROPERTIES
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