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科研机构
半导体研究所 [14]
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期刊论文 [9]
会议论文 [5]
发表日期
2012 [1]
2005 [2]
2004 [5]
2001 [1]
1998 [3]
1996 [1]
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学科主题
半导体材料 [14]
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学科主题:半导体材料
专题:半导体研究所
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Residual strains and optical properties of ZnO thin epilayers grown on r-sapphire planes
期刊论文
semiconductor science and technology, 2012, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 35008
Zheng, CC
;
Xu, SJ
;
Ning, JQ
;
Bao, W
;
Wang, JF
;
Gao, J
;
Liu, JM
;
Zhu, JH
;
Liu, XL
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2013/03/17
Luminescence properties of multi-layer InGaN quantum dots grown on C- and R-plane sapphire substrates
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 314-318
Chen, Z
;
Chua, SJ
;
Han, PD
;
Liu, XL
;
Lu, DC
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
;
Tripathy, S
收藏
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2010/03/17
GaN
Thermal quenching of luminescence from buried and surface InGaAs self-assembled quantum dots with high sheet density
期刊论文
journal of applied physics, 2005, 卷号: 98, 期号: 8, 页码: art.no.084305
作者:
Duan RF
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浏览/下载:89/30
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提交时间:2010/03/17
LOCALIZED EXCITONS
Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 3-4, 页码: 504-508
Chen, Z
;
Chua, SJ
;
Yuan, HR
;
Liu, XL
;
Lu, DC
;
Han, PD
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:269/35
  |  
提交时间:2010/03/09
metalorganic chemical vapor deposition
Gallium antisite defect and residual acceptors in undoped GaSb
期刊论文
physics letters a, 2004, 卷号: 332, 期号: 3-4, 页码: 286-290
Hu WG
;
Wang Z
;
Su BF
;
Dai YQ
;
Wang SJ
;
Zhao YW
收藏
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浏览/下载:177/66
  |  
提交时间:2010/03/09
GaSb
Defects in GaSb studied by coincidence Doppler broadening measurements
会议论文
13th international conference on positron annihilation (icpa-13), kyoto, japan, sep 07-12, 2003
Hu WG
;
Wang Z
;
Dai YQ
;
Wang SJ
;
Zhao YW
收藏
  |  
浏览/下载:25/1
  |  
提交时间:2010/10/29
coincidence Doppler broadening
defects
GaSb
positron annihilation
Defects in GaSb studied by coincidence Doppler broadening measurements
期刊论文
positron annihilation, 2004, 卷号: icpa-13 proceedings, 期号: 445-6, 页码: 114-116
Hu, WG
;
Wang, Z
;
Dai, YQ
;
Wang, SJ
;
Zhao, YW
收藏
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浏览/下载:129/19
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提交时间:2010/03/09
coincidence Doppler broadening
defects
GaSb
positron annihilation
Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures
会议论文
international conference on materials for advanced technologies, singapore, singapore, dec 07-12, 2003
作者:
Han PD
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浏览/下载:83/1
  |  
提交时间:2010/10/29
metalorganic chemical vapor deposition
semiconducting III-V materials
DOPED AL(X)GA1-XN/GAN HETEROSTRUCTURES
CARRIER CONFINEMENT
EFFECT TRANSISTORS
PHOTOLUMINESCENCE
MOBILITY
HETEROJUNCTION
INTERFACE
HFETS
Growing process of CdS nanoclusters in zeolite Y studied by positron annihilation
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 224, 期号: 3-4, 页码: 274-279
作者:
Liu SM
收藏
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浏览/下载:95/3
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提交时间:2010/08/12
growth models
nanostructures
surfaces
semiconducting II-VI materials
positron annihilation
SEMICONDUCTOR COLLOIDS
PHOTOCHEMISTRY
SUPERCLUSTERS
CLUSTERS
ELECTRON
A new half-flash architecture for high speed video ADC
会议论文
5th international conference on solid-state and integrated circuit technology, beijing, peoples r china, oct 21-23, 1998
Shi Y
;
Li SZ
;
Zhu RH
;
Wang SJ
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/10/29
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