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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
会议论文 [3]
发表日期
2009 [1]
2008 [2]
学科主题
半导体材料 [3]
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学科主题:半导体材料
内容类型:会议论文
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In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD
会议论文
international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007
Sun, GS
;
Zhao, YM
;
Wang, L
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Liu, XF
;
Ji, G
;
Zeng, YP
收藏
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/03/09
in-situ doping
boron
aluminum
memory effects
hot-wall LPCVD
4H-SiC
Simulation and fabrication of the SiC-based clamped-clamped filter
会议论文
9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008
Zhao, YM
;
Ning, J
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Wang, L
;
Ji, G
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Li, JM
;
Yang, FH
收藏
  |  
浏览/下载:39/0
  |  
提交时间:2010/03/09
MICROMECHANICAL RESONATORS
FREQUENCY
High epitaxial growth rate of 4H-SiC using TCS as silicon precursor
会议论文
9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008
Ji, G
;
Sun, GS
;
Ning, J
;
Liu, XF
;
Zhao, YM
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Zeng, YP
收藏
  |  
浏览/下载:35/0
  |  
提交时间:2010/03/09
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