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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
会议论文 [2]
发表日期
2001 [2]
学科主题
半导体材料 [2]
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学科主题:半导体材料
内容类型:会议论文
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High-quality metamorphic HEMT grown on GaAs substrates by MBE
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Zeng YP
;
Cao X
;
Cui LJ
;
Kong MY
;
Pan L
;
Wang BQ
;
Zhu ZP
收藏
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  |  
提交时间:2010/11/15
molecular beam epitaxy
high electron mobility transistors
DENSITY
Using photoluminescence as optimization criterion to achieve high-quality InGaAs/AlGaAs pHEMT structure
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Cao X
;
Zeng YP
;
Cui LJ
;
Kong MY
;
Pan LA
;
Wang BQ
;
Zhu ZP
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/15
molecular beam epitaxy
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