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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体器件     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A Novel Two-Section Co-Cavity Wavelength Tunable Semiconductor Laser 期刊论文 半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 9, 页码: 816 作者:  Wang W(王圩);  Zhu HL(朱洪亮) 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/23 1.3μm InGaAsP/InP应变多量子阱部分增益耦合DFB激光器 期刊论文 半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 10, 页码: 793 作者:  王圩;  朱洪亮 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/23 LP-MOVPE生长的低阈值1.3μm InGaAsP/InP 压、张应变交替 MQW 激光器特性 期刊论文 光子学报, 1997, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: 418 作者:  王圩;  王玉田;  朱洪亮 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/11/23 LP-MOVPE生长的1.3μmInGaAsP/InP张压应变交替MQW特性 期刊论文 半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 3, 页码: 232 作者:  王圩;  朱洪亮 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23 1.27μm吸收型部分增益耦合MQW-DFB激光器 期刊论文 半导体学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 231 作者:  王圩;  朱洪亮 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/23