LP-MOVPE生长的低阈值1.3μm InGaAsP/InP 压、张应变交替 MQW 激光器特性

	LP-MOVPE生长的低阈值1.3μm InGaAsP/InP 压、张应变交替 MQW 激光器特性
	王圩; 王玉田; 朱洪亮
刊名	光子学报
	1997
卷号	26 期号:5 页码:418
中文摘要	国内首次报道了LP-MOVPE法生长高质量的高、张应变交替InGaAsP多量子阱结构的研制过程及其材料的高精度X-ray双晶摇摆衍射曲线和荧光光谱特性表征。经过双腔面镀增透射膜后，其TE模与TM模自发发射谱光强差为3dBm，呈现偏振补偿特性。
学科主题	半导体器件
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19349]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王圩,王玉田,朱洪亮. LP-MOVPE生长的低阈值1.3μm InGaAsP/InP 压、张应变交替 MQW 激光器特性[J]. 光子学报,1997,26(5):418.
APA	王圩,王玉田,&朱洪亮.(1997).LP-MOVPE生长的低阈值1.3μm InGaAsP/InP 压、张应变交替 MQW 激光器特性.光子学报,26(5),418.
MLA	王圩,et al."LP-MOVPE生长的低阈值1.3μm InGaAsP/InP 压、张应变交替 MQW 激光器特性".光子学报 26.5(1997):418.