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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Evolution of differential efficiency in blue InGaN laser diodes before and after a lasing threshold 期刊论文 Applied Optics, 2017, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 2462-2466 作者:  X. LI;  Z. S. LIU;  D. G. ZHAO;  D. S. JIANG;  P. CHEN 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/07/11 XPS study of impurities in Si-doped AlN film 期刊论文 surface and interface analysis, 2016, 卷号: 48, 期号: 12, 页码: 1305–1309 F. Liang; P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; Z. J. Zhao; Z. S. Liu; J. J. Zhu; J. Yang; L. C. Le; W. Liu; X.G. He; X. J. Li; X Li; S. T Liu; H. Yang; J. P. Liu; L. Q. Zhang; Y. T. Zhang; G. T. Du 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2017/03/10 The thickness design of unintentionally doped GaN interlayer matched with background doping level for InGaN-based laser diodes 期刊论文 aip advances, 2016, 卷号: 6, 页码: 035124 P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; J. J. Zhu; Z. S. Liu; J. Yang; X. Li; L. C. Le; X. G. He; W. Liu; X. J. Li; F. Liang; B. S. Zhang; H. Yang; Y. T. Zhang; G. T. Du 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2017/03/10 Photoelectron spectroscopy study of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD 期刊论文 applied physics a, 2016, 卷号: 122, 期号: 9 F. Liang; P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; Z. J. Zhao; Z. S. Liu; J. J. Zhu; J. Yang; W. Liu; X. G. He; X. J. Li; X. Li; S. T. Liu; H. Yang; J. P. Liu; L. Q. Zhang; Y. T. Zhang; G. T. Du 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2017/03/10 Effects of Si-doping on field emission characteristics of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD 期刊论文 materials technology, 2016 F. Liang; P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; Z. S. Liu; J. J. Zhu; J. Yang; W. Liu; X. Li; S. T. Liu; H. Yang; L. Q. Zhang; J. P. Liu; Y. T. Zhang; G. T. Du 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2017/03/10 Thermal lensing effect in ridge structure InGaN multiple quantum well laser diodes 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 4, 页码: art.no.046101 Li DY (Li D. Y.); Huang YZ (Huang Y. Z.); Zhu JJ (Zhu J. J.); Zhao DG (Zhao D. G.); Liu ZS (Liu Z. S.); Zhang SM (Zhang S. M.); Ye XJ (Ye X. J.); Chong M (Chong M.); Chen LH (Chen L. H.); Yang H (Yang H.); Liang JW (Liang J. W.) 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/04/11 LINEWIDTH ENHANCEMENT FACTOR  WAVE-GUIDE LASER  GAN SUBSTRATE  INDEX  TEMPERATURE  GAIN   The effects of LT AlN buffer thickness on the properties of high Al composition AlGaN epilayers 期刊论文 materials letters, 2006, 卷号: 60, 期号: 29-30, 页码: 3693-3696 Wang XL (Wang X. L.); Zhao DG (Zhao D. G.); Li XY (Li X. Y.); Gong HM (Gong H. M.); Yang H (Yang H.); Liang JW (Liang J. W.) 收藏  |  浏览/下载：106/0  |  提交时间：2010/04/11 AlGaN  LT AlN  TAXRD  dislocation   Effect of Al incorporation on the AlGaN growth by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 applied surface science, 2006, 卷号: 253, 期号: 5, 页码: 2452-2455 Zhao, DG (Zhao, D. G.); Liu, ZS (Liu, Z. S.); Zhu, JJ (Zhu, J. J.); Zhang, SM (Zhang, S. M.); Jiang, DS (Jiang, D. S.); Yang, H (Yang, Hui); Liang, JW (Liang, J. W.); Li, XY (Li, X. Y.); Gong, HM (Gong, H. M.) 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/03/29 Al incorporation   Effect of lightly Si doping on the minority carrier diffusion length in n-type GaN films 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 25, 页码: art.no.252101 Zhao DG (Zhao D. G.); Jiang DS (Jiang D. S.); Yang H (Yang Hui); Zhu JJ (Zhu J. J.); Liu ZS (Liu Z. S.); Zhang SM (Zhang S. M.); Liang JW (Liang J. W.); Hao XP (Hao X. P.); Wei L (Wei L.); Li X (Li X.); Li XY (Li X. Y.); Gong HM (Gong H. M.) 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/04/11 YELLOW LUMINESCENCE  ELECTRON-BEAM  VACANCIES   Effects of edge dislocations and intentional Si doping on the electron mobility of n-type GaN films 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 11, 页码: art.no.112106 Zhao DG (Zhao D. G.); Yang H (Yang Hui); Zhu JJ (Zhu J. J.); Jiang DS (Jiang D. S.); Liu ZS (Liu Z. S.); Zhang SM (Zhang S. M.); Wang YT (Wang Y. T.); Liang JW (Liang J. W.) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/04/11 X-RAY-DIFFRACTION  SCATTERING  GROWTH  LAYERS