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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2021    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of nitrogen gas flow and growth temperature on extension of GaN layer on Si* 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2021, 卷号: 30, 期号: 11, 页码: 118101 作者:  Xu, Jian-Kai;   Jiang, Li-Juan;   Wang, Qian;   Wang, Quan;   Xiao, Hong-Ling;   Feng, Chun;   Li, Wei;   Wang, Xiao-Liang 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2022/03/23 Single Event Burnout Hardening of Enhancement Mode HEMTs With Double Field Plates 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 卷号: 68, 期号: 9, 页码: 2358-2366 作者:  Zhen, Zixin;   Feng, Chun;   Wang, Quan;   Niu, Di;   Wang, Xiaoliang;   Tan, Manqing 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2022/03/28