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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2018    专题：西安交通大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Modeling the Gate Driver IC for GaN Transistor: A Black-Box Approach 会议论文 作者:  Xie, Ruiliang;  Xu, Guangzhao;  Yang, Xu;  Tang, Gaofei;  Wei, Jin 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/11/26 gate driver IC  modeling  black-box approach  GaN transistor   A fixed topology Thevenin equivalent integral model for modular multilevel converters 期刊论文 INTERNATIONAL TRANSACTIONS ON ELECTRICAL ENERGY SYSTEMS, 2018, 卷号: 28 作者:  Zhang, Feng;  Yang, Xu;  Huang, Lang;  Wang, Kangping;  Xu, Guangzhao 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/11/26 stability  electromagnetic transients (EMT)  power electronics  Thevenin equivalent  modular multilevel converter (MMC)   The Mitigating Effects of the Threshold Voltage Shifting on the False Turn-on of GaN E-HEMTs 会议论文 作者:  Xu, Guangzhao;  Yang, Xu;  Xie, Ruiliang;  Zhang, Feng;  Wang, Naizeng 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/26