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| 一种环形振荡器 专利
专利号: CN201621371632.X, 申请日期: 2017-09-22,
作者: 罗家俊 ; 高见头; 李彬鸿; 赵发展
  收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2018/02/07 |
| 辐射探测电路 专利
专利号: CN201410594524.8, 申请日期: 2017-09-15, 公开日期: 2015-02-11
作者: 韩郑生; 刘梦新; 刘鑫; 赵发展
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2018/02/08 |
| A comparison of heavy ion induced single event upset susceptibility in unhardened 6T/SRAM and hardened ADE/SRAM 期刊论文
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 2017
作者: Ceng CB(曾传滨); Zhao FZ(赵发展); Yan WW(闫薇薇)
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2018/05/16 |
| A comparison of heavy ion induced single event upset susceptibility in unhardened 6T/SRAM and hardened ADE/SRAM 会议论文
作者: Yan, Weiwei; Wang, Bin; Zeng, Chuanbin; Geng, Chao; Liu, Tianqi
收藏 | 浏览/下载：40/0 | 提交时间：2018/08/20
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| A comparison of heavy ion induced single event upset susceptibility in unhardened 6T/SRAM and hardened ADE/SRAM 期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2017, 卷号: 406, 页码: 437-442
作者: Wang, Bin; Zeng, Chuanbin; Geng, Chao; Liu, Tianqi; Khan, Maaz
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| 一种SRAM型存储器的纠错电路 专利
专利号: CN201310642317.0, 申请日期: 2017-08-29, 公开日期: 2014-03-05
作者: 韩郑生; 刘鑫; 赵发展
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2018/02/07 |
| Experimental and Simulation Studies of Single Event Transient in Partially-depleted SOI MOSFET 期刊论文
Chinese Physics B, 2017
作者: Yan WW(闫薇薇); Gao LC(高林春); Li XJ(李晓静); Zhao FZ(赵发展); Ceng CB(曾传滨)
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2018/05/16 |
| 一种电子元器件测试恒温系统 专利
专利号: CN201621133274.9, 申请日期: 2017-05-10,
作者: 刘征; 赵发展; 高见头; 王春林; 罗家俊
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2018/02/07 |
| 辐射探测电路 专利
专利号: CN201410645500.0, 申请日期: 2017-04-05, 公开日期: 2015-03-04
作者: 刘鑫; 刘梦新; 韩郑生; 赵发展
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2018/02/08 |
