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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2016    学科主题：半导体器件     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High-resistive layers obtained through periodic growth and in situ annealing of InGaN by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 aip advances, 2016, 卷号: 6, 期号: 6, 页码: 065301 Shuo Zhang; Ping Ma; Boting Liu; Dongxue Wu; Yuliang Huang; Junxi Wang; Jinmin Li 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2017/03/16 Improved light extraction efficiency of GaN-based flip-chip light-emitting diodes with 期刊论文 aip advances, 2016, 卷号: 6, 页码: 055201 Dongxue Wu; Ping Ma; Boting Liu; Shuo Zhang; Junxi Wang; Jinmin Li 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/03/16 Carrier leakage effect on efficiency droop in InGaN/GaN light-emitting diodes 期刊论文 modern physics letters b, 2016, 卷号: 20, 页码: 1650221 Yang Huang; Zhiqiang Liu; Xiaoyan Yi; Yao Guo; Shaoteng Wu; Guodong Yuan; Junxi Wang; Guohong Wang; Jinmin Li 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/03/16 Overshoot effects of electron on efficiency droop in InGaN/GaN MQW light-emitting diodes 期刊论文 aip advances, 2016, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 045219 Yang Huang; Zhiqiang Liu; Xiaoyan Yi; Yao Guo; Shaoteng Wu; Guodong Yuan; JunXi Wang; Guohong Wang; Jinmin Li 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2017/03/16