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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2015    专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of a deep-level-defect band formed in a heavily Mg-doped GaN contact layer on the Ni/Au contact to p-GaN 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 9, 页码: 5 作者:  Li,XJ;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2015/12/31 ohmic contact  p-type GaN  transportation mechanism  deep-level-defect band   Utilization of polarization-inverted AlInGaN or relatively thinner AlGaN electron blocking layer in InGaN-based blue-violet laser diodes 期刊论文 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2015, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 5 作者:  Le, LC;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2015/12/31 Optical and structural characteristics of high indium content InGaN/GaN multi-quantum wells with varying GaN cap layer thickness 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 6 作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2015/12/31 Growth condition optimization and mobility enhancement through prolonging the GaN nuclei coalescence process of AlGaN/AlN/GaN structure 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 9, 页码: 4 作者:  He, XG;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhu, JJ;  Chen, P 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2015/12/31 high electron mobility transistor  two-dimensional electron gas  GaN