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山东大学 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2014 [3]
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发表日期:2014
专题:山东大学
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Different influences of Schottky metal on the strain and relative permittivity of barrier layer between AIN/GaN and AIGaN/GaN heterostructure Schottky diodes
期刊论文
中国物理B(英文版), 2014, 期号: 2, 页码: 426-430
作者:
Lv YJ(吕元杰)
;
Feng ZH(冯志红)
;
Gu GD(顾国栋)
;
Dun SB(敦少博)
;
Yin JY(尹甲运)
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提交时间:2019/12/17
肖特基二极管
AlGaN
相对介电常数
阻挡层
基金属
应变
异质
AIN
Different influences of Schottky metal on the strain and relative permittivity of barrier layer between AlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructure Schottky diodes
期刊论文
Chinese Physics B, 2014, 期号: 02, 页码: 430-434
作者:
Lv YJ(吕元杰)
;
Feng ZH(冯志红)
;
Gu GD(顾国栋)
;
Dun SB(敦少博)
;
Yin JY(尹甲运)
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提交时间:2019/12/17
Al(Ga)N/GaN
strain
relative permittivity
Schottky metal
Influence of temperature on strain-induced polarization Coulomb field scattering in AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
Chinese Physics B, 2014, 期号: 07, 页码: 653-656
作者:
Lv YJ(吕元杰)
;
Feng ZH(冯志红)
;
Lin ZJ(林兆军)
;
Guo HY(郭红雨)
;
Gu GD(顾国栋)
收藏
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提交时间:2019/12/17
AlN/GaN
electron mobility
polarization Coulomb field scattering
polarization
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