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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2009    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD 会议论文 international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007 Sun, GS; Zhao, YM; Wang, L; Wang, L; Zhao, WS; Liu, XF; Ji, G; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/03/09 in-situ doping  boron  aluminum  memory effects  hot-wall LPCVD  4H-SiC   Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer 会议论文 international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007 Zhao, YM; Sun, GS; Liu, XF; Li, JY; Zhao, WS; Wang, L; Li, JM; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/03/09 Silicon Carbide  Aluminum Nitride  buffer layer  LPCVD