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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2005    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 One-step growth of zno from film to vertically well-aligned nanorods and the morphology-dependent raman scattering 期刊论文 Applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 23, 页码: 3 作者:  Cong, GW;  Wei, HY;  Zhang, PF;  Peng, WQ;  Wu, JJ 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Crack-free gan/si(111) epitaxial layers grown with inalgan alloy as compliant interlayer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 279, 期号: 3-4, 页码: 335-340 作者:  Wu, JJ;  Han, XX;  Li, JM;  Li, DB;  Lu, Y 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Cracks  (111) substrate  Stresses  Metalorganic chemical vapor deposition  Gan  Inalgan buffer   One-step growth of ZnO from film to vertically well-aligned nanorods and the morphology-dependent Raman scattering 期刊论文 applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 23, 页码: art.no.231903 Cong, GW; Wei, HY; Zhang, PF; Peng, WQ; Wu, JJ; Liu, XL; Jiao, CM; Hu, WG; Zhu, QS; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：115/24  |  提交时间：2010/03/17 NANOWIRES   Crack-free GaN/Si(111) epitaxial layers grown with InAlGaN alloy as compliant interlayer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 279, 期号: 3-4, 页码: 335-340 作者:  Li DB;  Wei HY;  Han XX 收藏  |  浏览/下载：59/22  |  提交时间：2010/03/17 cracks