QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2003    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of high-temperature ain buffer thickness on the properties of gan grown on si(111) 期刊论文 Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 258, 期号: 1-2, 页码: 34-40 作者:  Zhang, BS;  Wu, M;  Shen, XM;  Chen, J;  Zhu, JJ 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Metalorganic chemical vapor deposition  Nitrides  Semiconductor iii-v materials   Influences of reactor pressure of gan buffer layers on morphological evolution of gan grown by mocvd 期刊论文 Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 248-253 作者:  Chen, J;  Zhang, SM;  Zhang, BS;  Zhu, JJ;  Shen, XM 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 In situ laser reflectometry  Lateral overgrowths  Surface morphology  Metalorganic chemical vapor deposition  Gan   Effects of reactor pressure on gan nucleation layers and subsequent gan epilayers grown on sapphire substrate 期刊论文 Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 254, 期号: 3-4, 页码: 348-352 作者:  Chen, J;  Zhang, SM;  Zhang, BS;  Zhu, JJ;  Feng, G 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 In situ laser reflectometry  Lateral overgrowth  Metalorganic chemical vapor deposition  Gan   X-ray diffraction analysis of mocvd grown gan buffer layers on gaas(001) substrates 期刊论文 Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 254, 期号: 1-2, 页码: 23-27 作者:  Shen, XM;  Wang, YT;  Zheng, XH;  Zhang, BS;  Chen, J 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Buffer layers  X-ray diffraction  Metalorganic chemical vapor deposition  Nitrides   Influence of growth pressure of a GaN buffer layer on the properties of MOCVD GaN 期刊论文 science in china series e-technological sciences, 2003, 卷号: 46, 期号: 6, 页码: 620-626 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：252/65  |  提交时间：2010/08/12 gallium nitride  MOCVD  in situ laser reflectometry  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  IN-SITU  SAPPHIRE SUBSTRATE  NUCLEATION LAYERS  FILMS   Effects of reactor pressure on GaN nucleation layers and subsequent GaN epilayers grown on sapphire substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 254, 期号: 3-4, 页码: 348-352 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：230/30  |  提交时间：2010/08/12 in situ laser reflectometry  lateral overgrowth  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  HIGH-QUALITY GAN  BUFFER LAYER  THREADING DISLOCATIONS  TEMPERATURE  EVOLUTION  SURFACE  MOVPE   Influence of high-temperature AIN buffer thickness on the properties of GaN grown on Si(111) 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 258, 期号: 1-2, 页码: 34-40 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：299/12  |  提交时间：2010/08/12 metalorganic chemical vapor deposition  nitrides  semiconductor III-V materials  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HIGH-QUALITY GAN  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  INTERMEDIATE LAYER  ALAS  ALN  SURFACES  SILICON  FILMS   Method for measurement of lattice parameter of cubic GaN layers on GaAs (001) 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 345-348 Zheng XH; Wang YT; Feng ZH; Yang H; Chen H; Zhou JM; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 in-plane strain  lattice parameters  triple-axis diffraction  c-GaN  GROWTH  FILMS   Influences of reactor pressure of GaN buffer layers on morphological evolution of GaN grown by MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 248-253 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：292/3  |  提交时间：2010/08/12 in situ laser reflectometry  lateral overgrowths  surface morphology  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  LIGHT-EMITTING-DIODES  SAPPHIRE SUBSTRATE  NUCLEATION LAYERS  QUALITY  TEMPERATURE   X-ray diffraction analysis of MOCVD grown GaN buffer layers on GaAs(001) substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 254, 期号: 1-2, 页码: 23-27 Shen XM; Wang YT; Zheng XH; Zhang BS; Chen J; Feng G; Yang H 收藏  |  浏览/下载：111/0  |  提交时间：2010/08/12 buffer layers  x-ray diffraction  metalorganic chemical vapor deposition  nitrides  VAPOR-PHASE EPITAXY  NUCLEATION LAYERS  CUBIC GAN  (001)GAAS SUBSTRATE  STRAIN RELAXATION  TEMPERATURE  DEPOSITION  QUALITY  DIODES