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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2001    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of ion-induced damage on ganas/gaas quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 1-2, 页码: 140-144 作者:  Li, LH;  Pan, Z;  Zhang, W;  Lin, YW;  Wang, XY 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Molecular beam epitaxy  Quantum wells   Effect of ion-induced damage on GaNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 1-2, 页码: 140-144 Li LH; Pan Z; Zhang W; Lin YW; Wang XY; Wu RH; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：99/7  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy  quantum wells  BAND-GAP ENERGY  PHOTOLUMINESCENCE  TEMPERATURE  GANXAS1-X  FILMS   Polarization switching current of vertical cavity surface-emitting Lasers in an applied electric field 会议论文 asia-pacific optical and wireless communications conference (apoc 2001), beijing, peoples r china, nov 12-15, 2001 Liu WK; Lin SM; Wu S; Cheng P; Zhang CS 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/10/29 birefringence  polarization  VCSEL