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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2001    学科主题：半导体物理    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Type I-type II transition of self-assembled In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As quantum dots 期刊论文 physica status solidi b-basic research, 2001, 卷号: 223, 期号: 1, 页码: 157-162 Li GH; Chen Y; Fung ZL; Ding K; Han HX; Zhou W; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：94/0  |  提交时间：2010/08/12 HYDROSTATIC-PRESSURE  PHOTOLUMINESCENCE  GAAS  LUMINESCENCE  GROWTH  INSB  GASB   Hydrostatic pressure effect on photoluminescence from a GaN0.015As0.985/GaAs quantum well 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 23, 页码: 3595-3597 Tsang MS; Wang JN; Ge WK; Li GH; Fang ZL; Chen Y; Han HX; Li LH; Pan Z 收藏  |  浏览/下载：98/11  |  提交时间：2010/08/12 GAINNAS ALLOYS  BAND-STRUCTURE  GAAS  NITROGEN  GAN(X)AS1-X  IMPURITIES  BEHAVIOR  MASS