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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：1984    专题：兰州大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 山黧豆慢性毒性作用的实验研究 期刊论文 兰州医学院学报, 1984, 期号: 3, 页码: 54-58 作者:  孟富敏;  孙以方;  居霞筠;  党月兰;  梁重栋 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2016/09/06 山黧豆  慢性毒性实验  中毒   溅射法制备a-Si_xC_(1-x)_H薄膜光电性能的研究 期刊论文 电子学报, 1984, 期号: 6, 页码: 102-104 作者:  张仿清;  张南屏;  刘智;  王印月;  陈光华 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/04/27 光电性能:5695  碳含量:5195  溅射法:5005  辉光放电法:2334  薄膜结构:1686  电导激活能:1536  碳原子:1349  兰州大学:1113  局域态:967  a-Si:930   用场效应法研究a-Si_xC_(1-x)_H薄膜的隙态密度 期刊论文 科学通报, 1984, 期号: 8, 页码: 511 作者:  王印月;  张仿清;  郭华林;  陈光华 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/04/27 场效应管:8755  隙态密度:4484  测量温度:1167  弱反型:1055  H膜:700  a-Si∶H:310  原理:273  测量结果:226  宽带隙:159  国内外:96   用场效应法研究退火对a-Si∶H隙态密度的影响 期刊论文 电子学报, 1984, 期号: 3, 页码: 52-56 作者:  王印月;  张仿青;  张青;  陈光华 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2015/04/27 绝缘栅场效应管:5748  隙态密度:4655  退火温度:4206  态密度分布:2982  气保护:2490  样品制备:1746  栅压:1707  关系曲线:1689  淀积温度:1375  不同温度:1332   As-Te玻璃半导体的温差电动势率和电导率的研究 期刊论文 硅酸盐学报, 1984, 期号: 1, 页码: 48-52 作者:  张仿清;  张南屏;  王印月;  陈光华 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2015/04/27 温差电动势率:8864  硫系玻璃半导体:3110  电导率:2821  跳跃电导:913  双通道模型:777  实验结果:737  局域态:736  熔融淬火法:697  激活能:654  温度依赖关系:591