用场效应法研究退火对a-Si∶H隙态密度的影响

	用场效应法研究退火对a-Si∶H隙态密度的影响
	王印月; 张仿青; 张青; 陈光华
刊名	电子学报
	1984-03-31
期号	3 页码:52-56
关键词	绝缘栅场效应管:5748 隙态密度:4655 退火温度:4206 态密度分布:2982 气保护:2490 样品制备:1746 栅压:1707 关系曲线:1689 淀积温度:1375 不同温度:1332
其他题名	用场效应法研究退火对a-Si∶H隙态密度的影响
中文摘要	本文用场效应法测量了不同退火温度时的 I_D—V_G 关系,示出了 a-Si:H 场效应管的特性。在 Ar 气保护下,经500℃退火的样品的场效应特性在负栅压方面有较大的改善,测得了从积累到反型的几乎整个 I_D—V_G 关系,发现在距迁移率边缘0.4eV 附近有 N(E)的峰值。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101689]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	王印月,张仿青,张青,等. 用场效应法研究退火对a-Si∶H隙态密度的影响[J]. 电子学报,1984(3):52-56.
APA	王印月,张仿青,张青,&陈光华.(1984).用场效应法研究退火对a-Si∶H隙态密度的影响.电子学报(3),52-56.
MLA	王印月,et al."用场效应法研究退火对a-Si∶H隙态密度的影响".电子学报 .3(1984):52-56.