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Group III nitride compound semiconductor on silicon and an epitaxial method of manufacturing the same 专利
专利号: EP1054442B1, 申请日期: 2011-11-30, 公开日期: 2011-11-30
作者:  KOIDE, NORIKATSU;  KATO, HISAKI
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Gallium nitride-on-silicon interface using multiple aluminum compound buffer layers 专利
专利号: US7598108, 申请日期: 2009-10-06, 公开日期: 2009-10-06
作者:  LI, TINGKAI;  TWEET, DOUGLAS J.;  MAA, JER-SHEN;  HSU, SHENG TENG
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面発光型半導体レーザ 专利
专利号: JP3467593B2, 申请日期: 2003-09-05, 公开日期: 2003-11-17
作者:  森 克己;  浅賀 達也;  岩野 英明
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面発光型半導体レーザ 专利
专利号: JP3395194B2, 申请日期: 2003-02-07, 公开日期: 2003-04-07
作者:  森 克己;  浅賀 達也;  岩野 英明
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面発光型半導体レーザ 专利
专利号: JP3240636B2, 申请日期: 2001-10-19, 公开日期: 2001-12-17
作者:  森 克己;  浅賀 達也;  岩野 英明
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光半導体モジュール 专利
专利号: JP3090335B2, 申请日期: 2000-07-21, 公开日期: 2000-09-18
作者:  黒田 文彦
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半導体レーザ 专利
专利号: JP2821600B2, 申请日期: 1998-09-04, 公开日期: 1998-11-05
作者:  池田 昌夫;  森田 悦男
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半導体素子 专利
专利号: JP2641484B2, 申请日期: 1997-05-02, 公开日期: 1997-08-13
作者:  近藤 正彦;  皆川 重量
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Laser diode array and manufacturing method thereof 专利
专利号: US5163064, 申请日期: 1992-11-10, 公开日期: 1992-11-10
作者:  KIM, JONG R.;  BANG, DONG S.
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Manufacture of semiconductor laser element 专利
专利号: JP1991165585A, 申请日期: 1991-07-17, 公开日期: 1991-07-17
作者:  INOGUCHI KAZUHIKO;  TAKIGUCHI HARUHISA;  ATSUNUSHI FUMIHIRO;  NAKATSU HIROSHI;  SAKANE CHITOSE
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