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Method of fabricating a superlattice structure 专利
专利号: US9324900, 申请日期: 2016-04-26, 公开日期: 2016-04-26
作者:  EVANS, ALLAN;  TENNANT, WILLIAM;  HOOD, ANDREW
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InAsSb材料的LP-MOCVD生长 期刊论文
半导体光电, 2015, 卷号: 36, 期号: 5, 页码: 733-735+740
作者:  徐庆安;  邵逸恺;  汪韬;  尹飞;  闫欣
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2015/12/11
一种用于通信波段的超低密度、位置可控三维微腔InAsSb量子点结构 专利
专利号: CN104466679A, 申请日期: 2015-03-25, 公开日期: 2015-03-25
作者:  李占国;  尤明慧;  乔忠良;  王勇;  高欣
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InAs/GaSb superlattices grown by LP-MOCVD for similar to 10 mu m wavelength infrared range 期刊论文
infrared physics & technology, 2011, 卷号: 54, 期号: 6, 页码: 478-481
作者:  YinFei
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/06/29
Growth and characterization of InAsSb alloys by metalorganic chemical vapour deposition 期刊论文
chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 320-323
作者:  Yan Jun-Feng;  Wang Tao;  Wang Jing-Wei;  Zhang Zhi-Yong;  Zhao Wu
收藏  |  浏览/下载：207/7  |  提交时间：2010/01/12
LP-MOCVD growth and characterisation of InAsSb ternary 期刊论文
chinese journal of semiconductors, 2005, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: 45-49
Li XT(李晓婷)
收藏  |  浏览/下载：75/5  |  提交时间：2010/01/12
Semiconductor laser diode 专利
专利号: US6577659, 申请日期: 2003-06-10, 公开日期: 2003-06-10
作者:  RAZEGHI, MANIJEH
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24
Long wavelength DH, SCH and MQW lasers based on Sb 专利
专利号: US6108360, 申请日期: 2000-08-22, 公开日期: 2000-08-22
作者:  RAZEGHI, MANIJEH
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Infrared light sources with semimetal electron injection 专利
专利号: US5995529, 申请日期: 1999-11-30, 公开日期: 1999-11-30
作者:  KURTZ, STEVEN R.;  BIEFELD, ROBERT M.;  ALLERMAN, ANDREW A.
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Infrared emitting device and method 专利
专利号: US5625635, 申请日期: 1997-04-29, 公开日期: 1997-04-29
作者:  KURTZ, STEVEN R.;  BIEFELD, ROBERT M.;  DAWSON, L. RALPH;  HOWARD, ARNOLD J.;  BAUCOM, KEVIN C.
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